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一种硅部件的双面研磨方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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一种硅部件的双面研磨方法.pdf

    本申请提供一种硅部件的双面研磨方法，属于半导体材料制造领域。硅部件的双面研磨方法包括以下步骤：将硅部件和辅助工件放置到双面研磨设备内的多个游星轮内，并使得每个游星轮内均放置有承压的硅部件和/或辅助工件，且使得硅部件的单位承压为200~800N/cm2；以及通入研磨液并驱动双面研磨设备将硅部件研磨至目标厚度，通过该双面研磨方法，能够在兼顾加工少量和/或小尺寸硅部件的情况下改善硅部件容易出现表面不良的问题。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116494027 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310722015.8 B24B 37/28 (2012.01)

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