PVD设备以及PVD沉积方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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本发明提供PVD设备以及PVD沉积方法。所述PVD设备包括多个布置在溅射腔中的磁控溅射旋转阴极,所述磁控溅射旋转阴极包括靠近溅射腔入口的第一旋转阴极以及位于第一旋转阴极与溅射腔出口之间的多个第二旋转阴极,所述第一旋转阴极的直径为所述第二旋转阴极的直径的50%‑80%,所述第一旋转阴极的工作功率为所述第二旋转阴极的工作功率的50%‑60%,所述第一旋转阴极与所述第二旋转阴极具有相同的换耙周期。本发明能抑制换靶初期太阳能电池效率的降低,能提高成膜均匀性以及靶材利用率,能提高PVD设备的运行时间及换靶

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116497329 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310451910.0 (22)申请日 2023.04.24 (71)申请人 理想万里晖半导体设备(上海)股份

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