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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种高价态RbSbIClX晶体及其制备方法和光电探测器件。本发明的高价态RbSbIClX晶体实现了Sb价态的提高，制备方法操作简单、技术稳定、对于制备环境无严格要求、原料易得；本发明基于RbSbIClX的光电探测器件的响应范围为386nm至480nm，在波长为386nm处(紫外区)、光强为51.4W/m2时的光电响应最好。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116497433 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310467482.0 H10K 30/60 (2023.01)
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