原创力文档- 1
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- 2023-07-29 发布于四川
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公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上并且包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上；以及栅极介电层，在栅电极与半导体图案之间。栅极介电层的内部间隔件包括在高k介电层与第二半导体图案之间的水平部分、在高k介电层与源极/漏极图案之间的竖直部分以及在水平部分与竖直部分之间的拐角部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度。竖直部分的第二厚度小于拐角部分的第三厚度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504784 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202211221577.6
(22)申请日 2022.10.08
(30)优先权数据
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