原创力文档- 10
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- 2023-07-29 发布于四川
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本申请涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种半导体材料载流子浓度的调控方法及半导体发电器件。该调控方法包括如下步骤：在半导体材料层的表面铺设第一摩擦层；在第一摩擦层背离半导体材料层的一侧表面铺设第二摩擦层；第二摩擦层和第一摩擦层能够相对滑动，且在滑动方向，第二摩擦层的尺寸小于第一摩擦层的尺寸，以使第二摩擦层的电荷密度大于第一摩擦层的电荷密度。该方法通过静电调控对半导体材料层起到不同的静电掺杂效应，从而分区调控半导体材料层表面的载流子浓度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116504626 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310453162.X
(22)申请日 2023.04.25
(71)申请人 北京纳米能源与系统研究所
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