JBT 4219-1999电力半导体器件测试设备型号命名方法.pdf

JB/T 4219-1999前言本标准是对JB4219-86《电力半导体器件测试设备型号命名方法》进行的修订。原技术内容无变化，增加了双极型晶体管和绝缘榭双极型晶体管测试设备的型号。此外，本标准相对86年版本，还有表述和编辑性的一些变化，如明确了为摊荐性标准，增加了标准的英文名称、前言、“引用标准”章等。本标准编写规则按GB/T1.1-1993的规定。本标准自实施之目起，代替JB4219—86。本标准首次发布于1986年5月1日。本标准由西安电力电子技术研究所提出并归口。本标准由西安电力电子技术研究所负责起草。本标准主娶起草人：秦贤满。 中华人民共和国机械行业标准JB/T 4219-1999电力半导体器件测试设备型号命名方法代 JB4219—86Type designation of measuring equipmentsfor power semiconductor devices1范围本标准规定了电力半导体器件测试设备型号的组成、各部分的意义和表示方法。本标准透用于电力半导体器件电、热参数的测试设备（测试台：测试仪）和有关非标准卡、夹设备的型号命名。2 引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本均为有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。GB/T2900.32—1994电工术语电力半导体器件（neqIEC60050（521）：1984）JB/T 5844--1991电力半导体器件参数符号（eqvDIN41785-3：1975）3型号的组成及各部分的意义电力半导体器件测试设备型号的组成如下图所示：三DBC被测参数符号设计序号（三位数）表示电力半导体器件测试设备型号由三部分组戒，第一部分DBC是电力半导体器件测试设备的代号：第二部分为三位数守的设计序号，前两位数字表示测试设备品种的代号，第3位数字表示测试设备产品代数或规格的代号：第三部分是测试参数的符号，被测参数的名称和符号应分别符合GB/T2900.32和JB/T5844的规定：4测试设备品种代号的意义测试设备品种代号的意义应符合表1的规定：国家机械工业局1999-08-06批准2000-01-01 实施12 JB/T 4219--1999表1代号意义01通态及正向峰值电压测试仪（VTNI、Var）02断态及反向伏安特性测试仪（VuN、VRI、IM、Ixx）03门极触发特性、维持电流和擎住电流测试仪（VGT、iGT、IrI,）04门极额定值参数测试仪（PGT、Pc（AV）、VRGNr）05指数电压上升率（dv/dt）06线性越压上升率（dv/dt）07门极控制开通时间测试设备（t。）80通态电流上升率测试设备（di/dt）09电路换向关断时间测试设备（t）10浪涌电流试验设备（IrsN、Irsx）11（备用综合电参数测试设备）12It 测试设备（I）13恢复电荷和反向恢复时间测试设备（Qr、t.）14 热阻测试试备（Rth）15瞬态热阻抗测试设备（Zh）16~20（备用电热参数测试设备）21控制温度和压力的辅助测试设备（T、F）22备用综合电参数测试设备23热循环负载试验设备（L）24交流阻断或高温反偏耐久性试验设备（L）25满负荷耐久性试验设备（L：）26门极功率耐久性试验设备（L,）27高温贮存耐久性试验设备（Ls）28~30（备用电、热耐久性试验设备）31换向电压上升率测试设备（dv/dt（c；）32双向晶管浪电流测试设备（Irsr）（备用综合电参数测试设备）t中频电流测试设备（MITT）35少数载流了寿命测试仪（）36~40（备用派生晶闸管和整流管的测试设备）41GTR 击穿电压、截止电流測试仪（V:BR)CBO、V(BR）CEX、V‘BRCES、V(BR:CEO、VIBRCER、V IR EIK);IcBO、 IcEx、Ices、 IciO、IcER、leBo)42GTR 饱和压测试仪（Vce（sat）、VBE sati43GTR放大倍数测试仪（h21e）44GTR 维持电流测试仪（VcEO（SUS）、VcER( SUIS:、VCEXt SLS））45GTR 二次击穿测试设备46GTR 并关时间测试设备（ton、tor）47GTR热阻测试设备（Rn）48GTR静态参数综合测试设备49GTR 特性综合测试设备50（备用）51IGBT截止电压、截止电流测试设备（Vcis、Icrs）52IGBT集电极电流、饱和电压测试设备（l、VcEal：）53IGBT 极特性测试仪（VGES、IGiS、VGE（TO’）5413 JB/T 4219-1999表1(完)代号意义55IGBT 电容测试设备（Cics、Coes、Cres）56IGBT热阻测试设备（Ra） 57IGBT静态特性综合测