一种快速准确的大功率IGBT建模方法.pdfVIP

第 43 卷 第 7 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.43 No.7 Apr.5, 2023 2826 2023 年 4 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2023 Chin.Soc.for Elec.Eng. DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.212934 文章编号：0258-8013 (2023) 07-2826-12 中图分类号：TM 461 文献标识码：A 一种快速准确的大功率 IGBT 建模方法 1 1 1 2 刘欣 ，王利桐 ，梁贵书 ，齐磊 (1．华北电力大学电力工程系，河北省 保定市 071003 ； 2．新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) ，北京市 昌平区 102206) Efficient and Accurate Modeling Method for High Power IGBTs 1 1 1 2 LIU Xin , WANG Litong , LIANG Guishu , QI Lei (1. Department of Electrical Engineering, North China Electric Power University, Baoding 071003, Hebei Province, China; 2. State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), Haidian District, Beijing 102206, China) ABSTRACT: Modeling the high-power insulated gate bipolar IGBT 载流子分布计算，现有模型存在计算量大或精度低等 transistor (IGBT) is of great significance to the loss calculation, 缺点。文中首先研究大功率 IGBT 工作过程中基区载流子的 mechanism analysis and disturbance characteristic prediction in 分布特性，然后，以准静态和非准静态条件下基区载流子分 application of IGBTs. The calculation for carrier distribution in 布的差异性为突破口提出一种快速、准确、适用于大功率 the drift region is a key aspect for the IGBT modeling. When IGBT 的建模方法。依据器件内基区耗尽层的边界是处于栅 considering different injection conditions, the existing models 极区域附近还是越过栅极区域，该方法将 IGBT 工作状态分 have the disadvantages of large amount of calculation or poor 为两部分，并分别基于准静态假设和非准静态假设对两部分 accuracy for high power IGBTs. First, the carrier distribution 建模。由此可在不失精