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集成电路工艺讲义 第一页，共三十六页，2022年，8月28日 余误差函数分布图： 第二页，共三十六页，2022年，8月28日 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入，这种扩散就是有限源的扩散。 有限源扩散时的初始条件图： 第三页，共三十六页，2022年，8月28日 在有限源扩散情况下，表面浓度与扩散深度成反比，扩散愈深，则表面浓度愈低。 第四页，共三十六页，2022年，8月28日 扩散结深 第五页，共三十六页，2022年，8月28日 决定扩散结深的因素共有4个： 1、衬底杂质浓度NE 2、表面杂质浓度Ns 3、扩散时间t 4、扩散温度T 第六页，共三十六页，2022年，8月28日 扩散层的方块电阻 第七页，共三十六页，2022年，8月28日 对扩散结深影响最大的因素是扩散温度和扩散时间，特别是扩散温度。因此，在扩散过程中炉温的控制很关紧要，通常要求炉温的偏差小于等于±1℃。 第八页，共三十六页，2022年，8月28日 扩散温度与扩散时间的选择 预沉积的温度T不可过低 第九页，共三十六页，2022年，8月28日 主要扩散方法 一、液态源扩散 二、固态源扩散 箱法扩散：在高温下，杂质氧化物源的蒸气将充满整个箱内空间，并与硅在表面起作用。 三、固－固扩散 低温淀积掺杂氧化层 第十页，共三十六页，2022年，8月28日 高浓度浅扩散中的反常现象 高浓度磷扩散的反常浓度分布图： 第十一页，共三十六页，2022年，8月28日 结深和方块电阻的测量 第十二页，共三十六页，2022年，8月28日 四探针法测量电阻率 第十三页，共三十六页，2022年，8月28日 离子注入设备 第十四页，共三十六页，2022年，8月28日 注入离子的浓度分布 注入离子浓度的下降表格： N/Nmax 0.5 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 10-6 10-7 ±1.2 σ ±2 σ ±3 σ ±3.7 σ ±4.3 σ ±4.8 σ ±5.3 σ ±5.7 σ 第十五页，共三十六页，2022年，8月28日 二氧化硅网络 每一个硅原子的周围有四个氧原子，构成所谓硅－氧正四面体；而两个相邻的SiO4四面体之间则依靠公用一个顶角氧而联系起来，这种把两个SiO4四面体联系起来的氧原子称为桥键氧。整个SiO2玻璃就是由这种SiO4四面体依靠桥键氧相连而混乱排列所构成的，是三维的环状网络结构。显然， SiO2玻璃的这种结构是较疏松的。在正常情况下，其中氧原子与硅原子数目之比为2：1。 第十六页，共三十六页，2022年，8月28日 HCl的氧化过程，实质上就是在热生长SiO2膜的同时，往SiO2中掺入一定数量的氧离子的过程。氧离子较多的填补了界面附近的氧空位，形成Si－Cl负电中心，因此降低了固定正电荷密度和界面态密度（可使固定正电荷密度降低约一个数量级）。 第十七页，共三十六页，2022年，8月28日 杂质在SiO2中的扩散系数 杂质在SiO2层中的扩散系数D与温度T之间的关系，和在硅中的类似，也有指数关系： 第十八页，共三十六页，2022年，8月28日 掩蔽杂质扩散所需要的最小的SiO2层厚度 X0是N（x）比表面浓度Ns降低3个数量级时的SiO2厚度 [即x0是当（N（x）/Ns)=10-3时的x值], 第十九页，共三十六页，2022年，8月28日 高温氧化（或称为热氧化）就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气氛（如氧气、水汽），使衬底本身表面的一层硅氧化成SiO2。这是就地取材的一种好方法。 这两种SiO2表面经过干氧氧化后，都可转化为与光刻胶粘附很好的硅氧烷。 第二十页，共三十六页，2022年，8月28日 氧化层表面出现斑点氧化层针孔界面态 第二十一页，共三十六页，2022年，8月28日 在生产实践中，测量SiO2层厚度的方法，目前用的最多的是光干涉法。 第二十二页，共三十六页，2022年，8月28日 光刻示意图： 第二十三页，共三十六页，2022年，8月28日 第二十四页，共三十六页，2022年，8月28日 侧向腐蚀示意图： 第二十五页，共三十六页，2022年，8月28日 光刻胶的厚度 光刻胶浓度 投影曝光 第二十六页，共三十六页，2022年，8月28日