MoS2导电薄膜的制备及物性研究.docVIP

南京工业大学毕业设计（论文） PAGE III 题 目：MoS2导电薄膜的制备及物性研究 第一章 绪论 PAGE II PAGE I MoS2导电薄膜的制备及物性研究 摘要 MoS2因具有非零的可调带隙（1.2~1.8 eV)及优异的光电特性，成为继石墨烯发现后备受关注的二维晶体材料之一，并在电子输运器件、光电子器件、电极材料和集成电路等方面具有广泛的应用前景。本论文采用脉冲激光沉积（PLD）技术在氩气环境中生长了系列MoS2导电薄膜，并利用XRD、AFM、光学显微镜、拉曼光谱、四探针等技术系统地研究了主要工艺条件（温度、压强）对薄膜的结构、形貌和电学输运性质的影响。为