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- 2023-08-02 发布于广东
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光纤通信器件第一页,共八十一页,2022年,8月28日1
3.2 半导体光电检测器光电检测器是光纤通信系统中接收端机中的第一个部件,由光纤传输来的光信号通过它转换为电信号。它是利用材料的光电效应实现光电转换的。目前在光纤通信系统中,常用的半导体光电检测器有两种:(1)PIN光电二极管(2)APD雪崩光电二极管第二页,共八十一页,2022年,8月28日2
3.2 半导体光电检测器3.2.1 半导体的光电效应3.2.2 光纤通信中常用的半导体光电检测器3.2.3 光电检测器的特性第三页,共八十一页,2022年,8月28日3
3.2.1 半导体的光电效应半导体材料的光电效应是指如下这种情况:光照射到半导体的P-N结上,若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带,在导带中出现光电子,在价带中出现光空穴,即光电子—空穴对,又称光生载流子。 第四页,共八十一页,2022年,8月28日4
3.2.1 半导体的光电效应半导体材料的光电效应 第五页,共八十一页,2022年,8月28日5
3.2.1 半导体的光电效应当光照射在某种材料制成的半导体光电二极管上时,若有光电子—空穴对产生,显然必须满足如下关系,即 λc称为截止波长,fc称为截止频率。 第六页,共八十一页,2022年,8月28日6
3.2.2 光纤通信中常用的半导体光电检测器1.PIN光电二极管 2.APD雪崩光电二极管 第七页,共八十一页,2022年,8月28日7
1.PIN光电二极管PIN光电二极管能带图 第八页,共八十一页,2022年,8月28日8
PIN光电二极管工作原理第九页,共八十一页,2022年,8月28日9
PIN光电二极管结构PIN光电二极管结构示意图 第十页,共八十一页,2022年,8月28日10
2.APD雪崩光电二极管如果能使电信号进入放大器之前,先在光电二极管内部进行放大,这就引出了一种另外类型的光电二极管,即雪崩光电二极管,又称APD(Avalanche Photo Diode)。它不但具有光/电转换作用,而且具有内部放大作用,其内部放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应而完成的。第十一页,共八十一页,2022年,8月28日11
2.APD雪崩光电二极管(1)雪崩光电二极管的雪崩倍增效应(2)雪崩光电二极管的结构及其工作原理目前光纤通信系统中,使用的雪崩光电二极管结构型式,有保护环型和拉通(又称通达)型。 雪崩光电二极管随使用的材料不同有几种:Si—APD(工作在短波长区);Ge—APD,InGaAs—APD等(工作在长波长区)。 第十二页,共八十一页,2022年,8月28日12
(1)雪崩光电二极管的雪崩倍增效应第十三页,共八十一页,2022年,8月28日13
APD雪崩光电二极管结构雪崩光电二极管的结构和能带示意图 第十四页,共八十一页,2022年,8月28日14
雪崩光电二极管RAM-APD的场分布第十五页,共八十一页,2022年,8月28日15
(2)雪崩光电二极管的结构及其工作原理第十六页,共八十一页,2022年,8月28日16
3.2.3 光电检测器的特性1.响应度R0和量子效率η 2.响应时间 3.暗电流ID 4.雪崩倍增因子G5.倍增噪声和过剩噪声系数F(G) 第十七页,共八十一页,2022年,8月28日17
1.响应度R0和量子效率η响应度和量子效率都是描述这种器件光电转换能力的一种物理量。 光电二极管的响应度和量子效率与入射光波频率、材料的特性及器件的结构有关。 第十八页,共八十一页,2022年,8月28日18
2.响应时间响应时间是指半导体光电二极管产生的光电流随入射光信号变化快慢的状态。一般用响应时间(上升时间和下降时间)来表示。一个快速响应的光电检测器,它的响应时间一定是短的。上面讨论的响应时间是从时域角度来看的,若从频域角度看,短的响应时间即意味这个器件的带宽宽。第十九页,共八十一页,2022年,8月28日19
3.暗电流ID 理想条件下,当没有光照射时,光电检测器应无光电流输出。但是实际上由于热激励、宇宙射线或放射性物质的激励,在无光情况下,光电检测器仍有电流输出,这种电流称为暗电流。严格地说,暗电流还应包括器件表面的漏电流。由理论研究可知,暗电流将引起光接收机噪声增大。因此,器件的暗电流越小越好。 第二十页,共八十一页,2022年,8月28日20
4.雪崩倍增因子G雪崩光电二极管还有一个与雪崩倍增效应对应的参量—雪崩倍增因子。在忽略暗电流影响条件下,它定义为一般APD的倍增因子G在40~100之间。PIN光电管因无雪崩倍增作用,所以G=1。 第二十一页,共八十一页,2022年,8月28日
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