SJ_T 11553-201593%氧化铝真空电子用陶瓷.pdf

ICS 01.040.81Q 33SJ备案号：52021-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T11553201593%氧化铝真空电子用陶瓷93% A1203 ceramics for vacuum electronic device2015-10-10发布2016-04-01实施S发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T115532015前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）归口。本标准主要起草单位：湖南新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司、上海材料研究所、河南济源兄弟材料有限公司、中国电子科技集团公司第十二研究所本标准起草人：谢建林培福龙桥TIRORMATIONTSTECHINOLOGYV1SRD、 SJ/T11553—201593%氧化铝真空电子用陶瓷1范围本标准规定了真空电子器件专用93%氧化铝陶瓷的定义、性能要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和存等。本标准适用于真空电子器件装置瓷体及装置零件等用的氧化铝质量分数为.（93土0.5）%氧化铝陶化铝陶瓷可参照使用。AISTRY2规范性引用文件本文件下列文件对于的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文日期的版本适用于本文件。行件凡是不注日期的否用文所有的修改单）于本文A其服服活4产品儿何参数及其数圖GB/T 103范(GPS）表面结轮廓法表面粗GB/T 2422008电子产品环概述和指南2计数抽GB/T程序第1部分：按接收质量AQL)检索的逐批检验抽样计划HN结精陶森料GB/T5593子元器GB 5594子元器件试方法构陶瓷材料性能测则试方法气密鲜工GB 55942杨氏子元器构陶瓷材料模量、泊松比测试方法GB 55子元器的测试方法94.4购陶盗材能测歌防法质损角正切值94.5SGB 559元器件则诗方法体积电率测试大陶陶瓷材料GB 55948元器件结构陶瓷材料性能测试方法显微结构的测定YGB/T 559电介质微波复介电常数的测试方法LGB/T6569陶瓷弯曲强度试验方法GB/T 6609.9氧化铝化学分析方法和物理性能测定方法新亚铜灵光度法测定氧化铜含量电子陶瓷名词术语GB 9530RDGB 9531.2A类瓷件技术条B类瓷件技术条件GB 9531.3GB 9531.4C类瓷件技术条件D类瓷件技术条件GB 9531.5GB9531.6E类瓷件技术条件F类瓷件技术条件GB9531.7GB/T16534精细陶瓷室温硬度试验方法GB/T 16535精细陶瓷线热膨胀系数试验方法GB/T22588闪光法测量热扩散系数或导热系数GB/T25995精细陶瓷密度和显气孔率试验方法电子陶瓷零件公差SJ/T107421 SJ/T1155320153术语和定义GB9530界定的术语和定义适用于本文件。4性能要求4.1外观4.1.1瓷件应清洁。瓷件应无裂纹、夹层、龟裂纹、融洞等缺陷。.3瓷件允许缺陷应符合GB9531.4规定的技术条件，瓷件色调一致性应符合GB9531.2~GB9531.7各类瓷件技术条件规定。.5瓷件应无生烧和过烧。结构尺寸4. 2瓷件结构、尺寸应符合正式认可的设计文件，设计文件上没有公差的应按SJ/T10742的规定选用。4.3表面粗糙度瓷件表面粗糙度应符合GB/T1031的要求，理化性能要求4.493%氧化铝真空电子用陶瓷的理化性能等应符合表1的规定：表193%氧化铝真空电子用陶瓷的理化性能序号项目测试条件单位及符号项目指标1g/cm3体积密度≥3.632%氧化铝含量93 ±0.53显气孔率%≤0.14气密性通过5弯曲强度MPa≥2806维氏硬度Hv1GPa≥127弹性模数GPa≥2908泊松比0.20~0.259平均晶粒尺寸≤15μm10抗热震性通过20℃~500℃×10-/℃6.5~7.511线膨胀系数20℃~800℃×10-6/℃7.0~8.012导热系数20 ℃W/m.K≥184. 5电性能要求93%氧化铝真空电子用陶瓷的电性能等应符合表2的规定：2 SJ/T11553—2015表293%氧化铝真空电子用陶瓷的电性能序号项目测试条件单位及符号项目指标9~101 MHz 20℃1介电常数500℃9~1010 MHz20℃9~10×104≤61 MHz 20℃2X104介质损耗角正切值500℃30~40× 104≤1010MHz20℃≥101420 ℃2.cm体积电阻率2.cm≥1082.cm500℃≥184击穿强度kV/mmD. C.5试验方法5.1如果本标准没有特殊规定时陶瓷材料测试时的试验温度、相对湿度以及气压应符合GB/T2421.1-2008中5.3的规定。5.2表面粗糙度应按G