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一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备.pdf

    本发明公开了一种溴化铊半导体单晶的生长方法及设备，包括上炉膛，隔热板，下炉膛，底托，支撑杆和石英坩埚，通过特殊的骤变温场结构及籽晶坩埚的设计，实现了大尺寸、高质量的晶体毛坯的生长，直径可达到64mm，晶片的能谱测试结果Cs‑137放射源的能量分辨率为1.87％，Co‑57放射源的能量分辨率为4.62％。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516461 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310339849.0 (22)申请日 2018.11.22 (62)分案原申请数据 201811397346.4

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