原创力文档- 2
- 0
- 约1.12万字
- 约 10页
- 2023-08-02 发布于四川
- 举报
一种高侧驱动半导体芯片及衬底电位处理方法，所述芯片包括Vbb端、IN端和OUT端，以及设置在芯片内的P型衬底、电荷泵、GATE驱动模块；所述GATE驱动模块包括功率MOS管；在IN端和GATE驱动模块的GATE端之间增加衬底电位偏置电路；当功率MOS管控制信号inL1为关断时，衬底电位偏置电路关掉功率MOS管，同时提供额外的下拉电流，使得GATE端电位与OUT端电位近似相等；当功率MOS管控制信号inL1为导通时，衬底电位偏置电路使得功率MOS管导通，同时将流入P型衬底的电流流入IN端，从而将衬
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116527030 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310371334.9
(22)申请日 2023.04.07
(71)申请人 陕西亚成微电子股份有限公司
地址
文档评论（0）