SJ_T 2354-2015ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法.pdf

ICS 31.180L54S.备案号：50539-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2354—2015代替 SJ/T 2354.1～2354.14—1983PIN、雪崩光电二极管测试方法Measuring methods for photodiodes of PIN、 APD2015-10-01 实施2015-04 -30 发布发布r中华人民共和国工业和信息化部201 SJ/T 2354—2015目次前言1范围12规范性引用文件3术语和定义4 .一般要求4.1　总则34.2测试仪器仪表3电源4.34.4测试环境条件5详细要求5.1反向击穿电压暗电流5.25.3 正向电压5.4电容5.5响应度。·x5.6光谱响应范围和峰值响应波长95.7上升时间和下降时间105.8噪声等效功率125. 9阵列串扰135.10反向击穿电压温度系数165.113dB截止频率175.12阵列单元间响应度非均匀性195.13饱和光功率205.14倍增因子235.15过剩噪声因子24 SJ/T 2354—2015言前本标准代替SJ/T 2354.1~~2354.141983。本标准在SJ/T 2354.1～2354.14—1983的基础上除格式修改外主要变化如下：增加了术语和定义（见第3章）；增加了3dB截止频率的测试方法（见5.11）；增加了饱和光功率（直流、交流）的测试方法（见5.13）；增加了阵列单元间响应度非均匀性（见5.12）将原“阵列串光因子”的测试修改为“阵列串扰直流、交流”的测试（见5.9）；将原“过剩噪声指数”的测试修改为“过剩噪声因子”的测试（见5.15）；-删除了“阵列膏区宽度”（见SJ/T2354.11-1983）本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所。本标准主起章人；郭萍崔大健、-王波。-: .本标准的历茨版本发布情况为：-SJ 2354.1--1983;-SJ 2354.2--1983; 、:3.-SJ 2354.3-1983;三=SJ 2354.4 -1983 ;-SJ 2354.31983;3.3..3.5-SJ 2354.61983 ;SJ 2354.71983 :-SJ 2354.81983:SJ 2354.91983;-SJ 2354.101983;-SJ 2354.11—1983;-SJ 2354.12—1983;-SJ 2354.13--1983;SJ 2354.14-1983。II SJ/T 2354—2015PIN、雪崩光电二极管测试方法1范围本标准规定了PIN、雪崩光电二极管（以下简称“二极管”）光电参数的测试方法。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T2421.1—2008　电工电子产品环境试验　概述和指南GB/T11499—2001　半导体分立器件文字符号GB/T15651半导体器件　分立器件和集成电路第5部分：光电子器件3术语和定义GB/T11499一2001和GB/T15651界定的以及下列术语、定义适用于本文件。3. 1反向击穿电压E reverse breakdown voltageVBR无光照并通过二极管的反向电流为规定值时，两极间产生的电压降。3. 2暗电流 dark currentIR(D)无光照并在二极管两端施加规定的反向偏置电压时，通过二极管的电流。3.3正向电压forward voltageVF无光照并通过二极管的正向电流为规定值时，两极间产生的电压降。3. 4电容 capacitanceC无光照并在规定反向偏置电压和频率下，二极管两极间的电容值。1 SJ/T 2354--20153. 5响应度responsivityRe在规定反向偏置电压和波长下，单位光功率产生的光电流。3.6光谱响应范围 spectrum response range～H在相等光功率和规定反向偏置电压下，二极管响应度随波长变化的曲线为光谱响应曲线，在曲线上不小于最大蝠值10%对应的波长范围。3.7噪声等效功率noise eguivalent powerNEP在规定反向偏置电压、光波长和调制频率下，信号产生均方根电流等于单位带宽均方根噪声电流时的入射光功率。-.---E3.8:阵列直流串扰：DC array crosstalk--- : -*, -.32、=SL (DC)-2.3+个相邻单元光电在规定反向偏置电压、波长和光功率下，阵列二极管中光照单元的光电流与住意→流之比中最大值。-=_-3.9阵列交流串扰ACarray crosstalkSL (AC)在规定反向偏置电压一波长、光功率和交流信号下，阵列二极