YS_T 24-2016外延钉缺陷的检验方法.pdf

ICS 77. 040YSH 21中华人民共和国有色金属行业标准YS/T 242016代替 YS/T 24—1992外延钉缺陷的检验方法Test methods for spike of epitaxial layers2016-04-05发布2016-09-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布 YS/T 242016前言本标准按照CB/T1.1—2009给出的规则起草，本标准代替YS/T24—1992《外延钉缺陷的检验方法》，与YS/T24一1992相比，本标准主要变化如下;增加了“规范性引用文件和术谱和定义”一增加了“方法2无摄测试”，本标准由全国有色金属标准化技术委员会(S.AC/TC243)提出并归口，本标准起草单位：南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、上海晶盟建材料有限公司。本标准主要起草人，马林宝、杨帆、孙燕、徐新华。本概准所代替标准的历次版本发布情况为：YS/T 24—1992。T YS/T 24—2016外延钉缺陷的检验方法1范围本标准规定了外延钉缺陷的检验方法。本标准适用于判断硅外延片上是否存在高度不小于4m的钉缺陷，如果钉缺陷数量比较少且彼此不相连，可对钉缺陷进行计数。本标准不能测量钉缺陷的高度。2规范性引用文件下列文件对丁本文件的应用是必不可少的。凡是注口期的引用文件，仅注口期的版本适用于本文件。凡是不往日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单)适用于本文件，GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3. 1钉缺陷spikes外置生长过中形成的表面突起物，通需是由于村底表面题粒导致外延后的硅突起物。4方法1有损测试4.1方法提要有损测试量将一片聚酯塑料薄膜沿三个不同方向推过试验表面，在两个或两个以上方向疆到的表面突起物皱判定为钉缺陷。4.2材料4.2.1真空吸片装置或假子。4.2, 2聚酪塑料薄膜，厚度为25μm，面积为50)mmX50mm4.3测试步要4.3.1用真空吸片装置吸住试样背面，或用银子卖持住试样，对于伸囊检测，也可将试验外延面期上置于清洁表面上。4. 3, 2拇指和食指夹住聚酯毁料薄膜，使薄膜在指下延伸约25mm，并与试样表面成45倾斜，4. 3.3在主参考而对而，将案酯翌料潮膜与试样接触，如图1所示。1 YS/T 24—2016薄移动方向试样图1试样和聚酯塑料薄膜放置方向4.3.4推动案酷塑料薄膜至主参考面，即图2中方向1.4,3.5使聚酯塑料薄膜重复做一系列平行且互相叠加的移动。4.3.6记下豪酯塑料薄膜与突起物相懂的每一个位置。4,3.7对其余两个方向（图2中方向2和方向3)重复4.3.5-4.3.6。三个方向大致互成120°角。4.3.8在两个或两个以上方向上，案酯翌料毒膜与试样表面窦起物相碰的每一个位置，作为一个割缺陷。注：必要时，可用显微镜检查订缺陷的存在及位置，4, 4精密度本方法对单个实验室精密度为±5%，对多个实验室精密度为±10%，图2移动方向5方法2无损测试5.1方法提要无损测试采用光散射方法逐行扫描硅外延片表面，测量硅外延片表面的突起物，本方法采用表面题粒测试仪器。5.2收器表面颗粒测试仪器通常由激光系统、扫描系统、检测系统、晶片运动系统以及软件系统等组成。5.3干扰国素5.3.1部分系列的表间颗数测试仪器由于是直射法，受仪器工作原理限制，部分型号仅器可以测量硅片表面异物，但是不能区别形貌，测试结果包括凹坑数量，这种情况下可将硅外延片在点光源下进行目检区分，大粒径的钉缺陷能被有效识别。2 YS/T 24—20165.3.2未清洗的硅外延片测试结果会受到表面大颗粒的影响，5.4测试坏境在测试仪器允许的洁净环境内测试，温湿度按照洁净级别相应的温湿度执行。5.5试样硅外延片应具有清洁、干燥的表面，必要时，测试之前需对硅外延片进行清洗，5.6测试步暴5.6.1选取待测硅外延片，正面期上散人专用测试片架申，然后置于测试仅仪器待别硅片位置，5.6.2启动测试仪器，设置扫描下限为4叫，5.6.3测试仪自动对硅片进行表面扫描。5.6.4输出图形，获得数量和分布等测试结果。5.6.5记录粒经为4μum以上的颗粒数量，即为硅外延片表面的钉缺陷数量。5.7精密度本方法单个实验室测试重复性为8%，对三个实验室测试再现性为11%，5.8试验报告方法1和方法2的试验报告应包括下列内容：a)产品类型；b)样品编号：e)有缺陷试样数与被检试样数；d)本标准编号：e)检验单位、检验者和检验日期；f)仲费检验应包括标有钉缺陷大致位置的试样形貌图。 中华人民共和国有色金属行业标准外延钉缺陷的检验方法YS/T 24—2016中国标准出总社出舰发行北京市朝阳区和平里西街甲2号(100029)北京市西城区三里河北街16号(10