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高功率元件总成制造方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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高功率元件总成制造方法.pdf

    本发明是一种高功率元件总成制造方法，包含有以下步骤：(a)于一第一基板上形成一剥离层，该剥离层的材质为二维材料；(b)于该剥离层上形成一成核层；(c)于该成核层上成长一高功率元件；(d)取一支撑板通过一接合层与该高功率元件接合；(e)移除该第一基板与该剥离层，并将残留的该剥离层由该成核层表面清除；(f)取一第二基板与该成核层接合；以及(g)移除该接合层与该支撑板。借此，本发明的制造方法可采用非碳化硅基板以降低制造成本，可达到商品化的质量要求，并可依需要搭配不同特性的第二基板，有效扩展应用领域。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525437 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202210066915.7 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人 瑞砻科技股份有限公司 地址 中国

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