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一种防止闩锁效应的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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一种防止闩锁效应的方法.pdf

    本发明提供了一种防止闩锁效应的方法，其方法的内容包括：P型衬底P_sub、N型埋层NBL、第一深高压N阱DHVNW、第二深高压N阱DHVNW、浅N阱NW、浅N型隔离环N_ring、深高压P阱HVPW、浅P型隔离环P_ring、PMOS\NMOS；所述深高压N阱DHVNW、浅N阱NW、浅N型隔离环N_ring、浅P型隔离环P_ring、PMOS\NMOS都位于N型埋层上；本发明通过深高压N阱的隔离阻绝了传统的由NMOS的有源区、P型衬底浅P型隔离环P_ring、浅N阱NW、PMOS的有源区构成的N

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525615 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310797639.6 (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人 微传智能科技（常州）有限公司 地址

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