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- 2023-08-03 发布于内蒙古
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电子受激辐射电子受激辐射1.实验特征:●发光强度随泵浦强度呈非线性增长, 即 ●泵浦强度存在阈值 ●辐射谱窄.频率由腔长决定.●激光模具有方向性.2.泵浦方式:●强激光: 取决于材料和泵浦情况。 ●电子束: 激发能量大于 ●闪光灯.●激光二极管中,在pn结上加正向偏压. 3.本征半导体①受激辐射过程Ⅰ●电子-激子非弹性散射●伴随LO的激子复合.●激子-激子散射、激子-载流子非弹性散射.●双激子衰减②粒子数方程其中能量为 的光子数密度.包括共振腔内光子数的所有损耗,例如反射或衍射等.●第二项是所有对辐射 的光子过程求和.表示能量守恒.表示跃迁几率.在强耦合情况下,表示类激子极化激元向类光子极化激元跃迁几率。为粒子数因子.例 线 该式可以分解成两部分,其中与光子数密度 无关部分与自发辐射有关,而与光子有关部分给出受激吸收与受激数密度 辐射的净增益或吸收 假设不同激子态达到热平衡,那么,在低温下,即使两个激子碰撞也发生粒子数反转,③增益 ●激子-激子散射:低温下, 随泵浦强度非线性增长,直到增益大于损耗,即直到激光辐射开始,高温下, 态被占据,谱线的某些区域中再吸收可能大于增益,导致受激吸收.
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