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高质量半导体薄膜及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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高质量半导体薄膜及其制备方法和应用.pdf

    本发明公开了一种高质量半导体薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：第一步骤，包括对硅衬底表面进行微纳图形化处理以获得图形化衬底；第二步骤，包括在所述图形化衬底上生长形成半导体材料薄膜；所述半导体材料薄膜由六方晶系半导体材料形成，并且所述第一步骤包括：在硅衬底表面形成多个多边形图形，并使所述多边形图形的任意一条边与所述硅衬底的晶向和所述半导体材料的晶向之中的任意一者之间的偏角均在15°以内。本发明实施例提出的制备方法，不仅可以有效降低位错缺陷密度和减小应力，而且制备工

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525406 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202210066452.4 C23C 16/30 (2006.01)

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