一种设有拓扑相变层的半导体激光元件.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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一种设有拓扑相变层的半导体激光元件.pdf

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本发明提供了一种设有拓扑相变层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，衬底(100)与下限制层(101)之间设有拓扑相变层(107)；拓扑相变层在可产生从无序顺电相与有序铁电相的过渡与转变，增强双磁子散射效应，形成1800以上Qe的巨大共振偏移量，增强磁电应力耦合效应，缓解激光元件的压电极化和热应力失配，降低价带带阶，提升载流子注入有源层的均匀性，改善增益均匀性，同时，诱导自旋相变，产生巨大的自旋序控制的磁电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116526295 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310116518.0 H01S 5/20 (2006.01) (22)申请日 2023.02.1