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本发明提供一种氮化镓半导体器件及其制备方法，其中，氮化镓半导体器件包括从下到上依次包括硅衬底、缓冲层、GaN层、铟镓氮插入层和铟铝氮阻挡层，以及制备在铟铝氮阻挡层上的源极、漏极和栅极；在硅衬底和缓冲层之间还设置有散热层，散热层至少包括3C‑SiC单晶种子层和3C‑SiC加厚层。通过在硅衬底上首先生长一层致密的3C‑SiC单晶种子层，然后在其上继续同质外延生长一层3C‑SiC加厚层，3C‑SiC单晶种子层和3C‑SiC加厚层形成散热层，便于后续在生长的GaN功能层上生长的器件具有高散热性，高隔离性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525671 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310685804.9
(22)申请日 2023.06.09
(71)申请人 中电科先进材料技术创新有限公司
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