SJT 10052-19913CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管.pdf

SJ中华人民共和国电子工业行业标准SJ/T 10052 --91电子元器件详细规范3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管3DD313型硅NPN低频放大管壳额定的双极型晶体管1991-07-01实施1991-04-08发布中华人民共和国机械电子工业部发布 中华人民共和国电子工业行业标准电子元器件详细规范3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管SJ/T 10052--91Detail specification for electronic componentsCase rated bipolar transistorfor silicon PNPlow-frequencyamplificationfor type 3CD 507本标准适用于3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管，它是按照GB7577《低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范》制订的。符合GB4936.1《半导体分立器件总规范》I类的要求。中华人民共和国机械电子工业部1991-04-08批准1991-07-01实施-1 SJ/T 10052-91中华人民共和国机械电子工业部评定器件质量的根据SJ/T 10052-91GB4936.1(半导体分立器件总规范》3CD507型硅PNP低频放大管壳额定的双极型晶体管订货资料：见本规范第7章1机械说明2简略说明2外形符合GB7581—87《半导体分立器件外形尺寸》中半导体材料：SiF3-03A的要求封装：塑封（非空腔）外形图如下：应用：彩电中作伴音功放和顿输出等P时3质量评定类别YK11类3参考数据-P tot = 30W(Tcase25℃)BPtot =1. 8W(Tamb 25 C)画@Ic= 3ACN0LgVcBo = 60VaiaVeeo = 60V代F3-03AVeo == 5V典hFE(1)=40~320符尺寸寸minmaxminnom maxnom符号号2.54A3.54.8e2. 4F1. 11. 4BL12.514.5B11.83.50. 6LibLs6. 31. 2sbi0.4$Pc3. 1D16. 5Q2.56. 9.2.02.8Di[5. 9Q3.0E10.7z引出端识别：3.发射极1.基极2.集电极}2 SJ/T 10052-914极限值（绝对最大额定值）除非另有规定，这些极限值在整个工作温度范围内适用。数值条文号参数名称符号单位最水最戏值4.1管充温度rTease4015004. 2r贮存温度Tatg-40:150,4. 3v集电极—基极直流电压Vcno-604. 4v集电极发射极最大直流电压Vceo-604.5v发射极——基极最大直流电压Ve8o-54. 631A集电极最大直流电流Ie4.8.1最大总功耗30wPtot(Tcase=25℃)w1.8(Tamb=25 C)4.8.2c最高有效结温T(vi)1504.9直流安全工作区见本规范第10章的图5 电特性数值特性和条件试验条文号符号单位除非另有规定，Tamb=25℃组别最小值最大值5. 1共发射极正向电流传输比静态值hre(1)A2bcVc - --2V,le--1A4080D60120E100200F320160.5. 3共发射极正向电流传输比静态值hee(3)40C2bV=-21c0.1Afr5.4特征频率C2a3MHzVce= -5V;Ic=0. 5A;F-1MHz5. 6截止电流Icro集电极一基极截止电流A2b100μA(1)Vca= -60VA2b集电极一发射极截止电流mAIcEO1Vce = - 60VA2b发射极一基极截止电流Igno1mAVea=-5V5.7高温下的截止电流Icno集电极一基极截止电流C2b1mA(2)T ambm100C;Vc= -40V5.8v集电极一发射极饱和电压VcE(oat)1.0A3Is=0. 2A;lc=2A3 SJ/T 10052-91续表数值特性和条件试验条文号符 号单位除非另有规定，Tamb=25℃组别最小值最大值5. 9基极一发射极电压VBE1.5VA2bVce - --2V; Ic - 1A5. 10热阻Rth(j-case)c/wC2d46标志6.1器件上的标志产品型号3CD507；a.DhFE分档标志，按规定打上字母；质量评定类别标志1，放在型号标志后面；c.d.制造厂商标；e.检验批的识别代号。6.2包装盒上的标志重复器件上的标志；a.b.标上《怕湿》等注意标记。7 订货资料订货单上应有下列内容：a.准确的型号;b.hre分档标记；c.本规范的编号；d. 其他。8试验条件和检验要求本章中除非另有规定，引用的条文号对应于GB4936.1、GB4937-85《半导体分立器件机械和气候试验方法》和GB4938《半导体分立器件接收和可靠性》的条文