电力电子技术试题及答案11.pdfVIP

德州科技职业学院机电系 14 级机电专业 A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） 期末考试试题 A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） 《电力电子技术》试卷 A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 题 号 一 二 三 四 合 计 9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） 分 数 A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO 阅卷人 得分 10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A、IPM B、MOSFET C、IGBT D、GTO 一、选择（每题 1.5 分，共 60 分） 11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） 1、 晶闸管内部有（ ）个 PN 结。 A、晶闸管 B、单结晶体管 C、电力晶体管 D、绝缘栅双极型晶体管 A、1 B、2 C、3 D、4 12、电力场效应管 MOSFET 适于在（ ）条件下工作 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 A、越大 B、越小 C、不变 D、越稳定 13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ） 3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。 A、在栅极加正电压 B、在集 电极加正电压 C、在栅极加负 电压 D、 A、有效值 B、最大值 C、平均值 D、瞬时值 在集 电极加负 电压 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。 14、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管 A、一个 B、两个 C、三个 D、四个 A、稍高于 B、低于 C、远高于 D、等于 5、下列电力半导体器件电路符号中，表示 IGBT 器件电路符号的是（ ） 15、如 晶闸管的正向阻断重复峰值电压为 745V，反 向重复峰值电压为 6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 825V，则该晶闸管的额定电压为 （ ） A、700V B、750V C、800V D、850V 25、在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选（