SJ_T 11488-2015半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法.pdf

ICS 29. 045H 83备案号：50545-2015中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11488—2015半绝缘砷化电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法Test method for measuring resistivity, hall coefficient and determining hall mobilityin semi-insulating GaAs single crystals2015－10－01实施2015 - 04 -30 发布S发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T 11488--2015言前本标准按照GB/T1.1一2009制定的规则起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。本标准起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司、天津中环领先材料技术有限公司。本标准主要起草人：何秀坤、董彦辉、刘兵、李翔、村雪涛。....-_3- SJ/T 11488—2015半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法1范围本标准规定了半绝缘砷化单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。本标准适用于电阻率在1042cm～10°2·cm范围内的半绝缘砷化镓单晶材料电学参数的测量。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T14264半导体材料术语3术语和定义GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。4　方法原理在一矩形半导体薄片上沿X轴方向通以电流I，在Z轴方向上加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向（即Y轴方向）上产生电势差VH，这一现象称为霍尔效应，V称为霍尔电压。产生霍尔效应的原因是形成电流的作定向运动的带电粒子即载流子在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的，通过霍尔效应可以测定半绝缘砷化单晶的电学参数。5干扰因素测量温度、欧姆接触电极制备等均会对测量结果产生影响。6仪器测量仪器由下列部分组成：a）霍尔测试系统。外加磁场强度0.3T～1.0T，样品测量范围内磁场均匀性优于1%，输入阻抗低于1013，电流源精度优于1%，温度精度优于0.1℃；b)千分尺，准确度±0.01mm;样品架，避光。c）7环境要求I SJ/T XXXxXXxXx环境温度为22℃~24℃，相对湿度小于60%，测试屏蔽室应无机械冲击和振动，无电磁干扰。8样品制备8.1试样切割、研磨和清洗按GB/T4326要求进行试样切割、研磨和清洗。8.2欧姆接触电极按GB/T4326要求，采用In、AuGe/Au或AuGe/Ni合金制备欧姆接触电极。9测量程序按GB/T4326所规定测量步骤进行测量。10 计算电阻率10.1电阻率（p）由公式（i）～公式（3）计算：p(π-xt/2ln2)x(R, + R2)× f(R, / R2).(1)(2)f(R, / R2) = 1 - 0.34657A - 0.09236A2(3)A =[(R/R2 -)/(R, / R2 + i)式中:=2 3---p电阻率，Q·cm;t试样厚度，cm;RI、R2—样品两个对角线间电阻，2。10. 2霍尔系数霍尔系数RH由公式（4）计算：(4)R.=1/(nx-g式中:载流子浓度，cm3;n载流子电量，C。q10.3霍尔迁移率霍尔迁移率（μ）由公式（5）计算：μ= (t / B)x R, / p(5)式中:-霍尔迁移率，cm²/V.s;B磁场强度，Gs;R3样品电阻，2。2 SJ/T 11488--201511精密度在同一实验室，按照本标准，对同一n型半绝缘砷化样品进行10次重复性测量，电阻率相对标准偏差（RSD）为3%，迁移率相对标准偏差（RSD）为4%。报告12报告应包括如下内容：样品来源；a)b)样品编号、名称、规格；c)测量环境；d)测量仪器型号；e)测量结果；f)测试者姓名、测试单位、测试日期。3 881/rss中华人民共和會国电子行业标准半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法SJ/T 11488--2015*中国电子技术标准化研究院编制中国电子技术标准化研究院发行电话：（010真：（010址：北京市安定门东大街1号邮编：100007网址： *5开本：880×12301/16印张：，字数：15千字82015年8月第一版2015年8月第一次印刷印数：200册版权专有不得翻印举报电话：（010