基于PZTTerfenol-D圆柱复合材料切向磁电效应的涡旋磁场传感器.docxVIP

摘要 PAGE III 第一章 绪论 PAGE 2 基于PZT/Terfenol-D圆柱复合材料切向磁电效应的涡旋磁场传感器 PAGE 2 摘要 将商业购买的Terfenol-D环插入PZT圆柱环内，形成PZT/Terfenol-D双层圆柱复合结构的磁电传感器，充分利用法向应力耦合代替传统平面层状结构中的切向应力耦合，得到改善的磁电耦合。实验结果表明,当偏置磁场沿着轴向而交流磁场沿着切向时，可得到低频下0.37 Vcm-1Oe-1的磁电电压系数，谐振频率46.0kHz下8.5 Vcm-1Oe-1的磁电电压系数。这远高于传统的平面环状结构中的结果，其原因可归结为法向应力代替切向应力