光纤通信系统与网络第3章.pptxVIP

第3章　光通信器件 ; 3.1　LD和LED光源 光源是光发送机的核心器件，作用是把电信号转变成光信号，以便在光纤中传输。光源性能的好坏是保证光纤通信系统稳定可靠工作的关键。半导体光源主要有半导体发光二极管(LED)和半导体激光器(LD)两种。纤通信系统对光源的基本要求有以下几个方面：　　（1）光源的发光波长必须和光纤的低损耗波长1.31μm、1.55μm相一致。　　（2）光源的输出功率必须足够大，入纤功率为数十微瓦到数毫瓦才能满足一定通信距离的需要。 ;　　（3）光源应具有高度的可靠性，其寿命要在105h以上。否则会因频繁更换器件而降低系统的可靠性。　　（4）光源的谱线宽度要窄，这有利于减少光纤的材料色散，增大系统的传输容量。　　（5）光电转换效率要高，否则会因效率太低而导致器件发热严重，不仅增加损耗，还会缩短光源的寿命。　　（6）光源应便于调制，调制速率应能适应系统的要求。　　（7）光源应体积小，重量轻，便于安装和使用。 ;3.1.1　半导体中光的发射与激射　　1.半导体价带、导带、带隙与发光　　单晶体中各个原子的最外层轨道是互相重叠的，这样就使分立的能级变成了能带。◆价带：低能带，价带顶的能量记作Ev。 ◆导带：高能级。导带底的能量记作Ec。◆禁带：Eg= Ec-Ev——禁带宽度或带隙，在Ec和Ev之间是不可能有电子的。 正常情况下，电子处于低能级，要想使半导体导电，则高低能级之间因该有电子的移动，所以在价带和导带之间，应该有电子越过禁带进行移动。;(3－1) ;　　2.半导体掺杂、P型半导体和N型半导体本征半导体： 又叫做Ⅰ型半导体，含杂质和缺陷极少的纯净、完整的半导体。 特点：在半导体材料中，导带电子的数目和价带空穴的数目相等。 　　; 按照掺杂的不同，可以得到电子型半导体和空穴型半导体材料。◆电子型半导体(N)：通过故意掺杂使导带的电子数目比价带空穴的数目大得多的半导体。 ◆空穴型半导体(P)：通过故意掺杂使价带空穴的数目比导带电子数目大得多的半导体。 把不同的类型的半导体结合起来，就可以制作成各种半导体器件，当然也包括激光二极管和发光二极管。;　　3.半导体P－N结和P－N结光源　　P型半导体和N型半导体结合的界面称为P－N结，许多半导体器件（包括半导体激光器件）的核心就是这个P－N结。在P型半导体内有多余的空穴，在N型半导体内有多余的电子，当这两种半导体结合在一起的时候，P区内的空穴向N区扩散，在靠近界面的地方剩下了带负电的离子，N区内的电子向P区扩散，在靠近界面的地方剩下了带正电的离子，这样一来，在界面两侧就形成了带相反电荷的区域，叫做空间电荷区。由这些相反电荷形成一个自建电场，其方向由N区指向P区。由于自建电场的存在，在界面两侧产生了一个电势差VD，这个电势差阻碍空穴和电子进一步扩散，使之最后达到了平衡状态。 ;图3.1P－N结能带图 ;　　图3.1（a）所示的是半导体能带图。半导体P－N结光源包括半导体发光二极管与半导体激光器。它们都是正向工作器件。当把正向工作电压V加在P－N结上时，抵消了一部分势垒，势垒高度就只剩下了（VD-V）的数值，如图3.1（b）所示。当把足够大的正向电压加在P－N结上时，P区内的空穴大量地注入N区，N区内的电子大量注入P区，这样一来，在P区和N区靠近界面的地方就产生了复合发光。 ;3.1.2 半导体激光器;(2) 受激吸收;(3) 受激辐射;2. 吸收物质与激活物质; 粒子数反转分布是产生受激辐射的必要条件，但还不能产生激光。只有把激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择，才能获得连续的光放大和激光振荡输出。 ;;内部衰减: 谐振腔内激活物质存在吸收，反射镜存在透射和散射，因此光受到一定损耗。;激光振荡的相位条件为;4. 半导体激光器基本结构;1. P-Ⅰ 特性;2. 光谱特性;光谱随与注入电流的关系：(1) 当注入电流阈值电流时，激光器发出的是“荧光”，荧光光谱范围很宽，宽度约为几十纳米，相干性很差；(2)当电流增大到阈值时，发射光谱突然变窄，宽度约为一两个纳米，谱线中心强度急剧增加，这表明出现了激光。 光谱窄、单色性强是激光器的重要特点，利用它可以测定激光器的阈值电流。在工作电流由小变大的过程中，一旦观察到激光器的光谱突然变窄，就说明此时的工作电流即是阈值电流。 ;单纵模激光器和多纵模激光器： 纵模：沿谐振腔轴向的光强分布。横模：垂直于该方向。;图3.10　LD的光谱特性（a）荧光光谱；（b）单纵模光纤光谱；（c）多纵模光纤光谱 ; 静态单纵模激光器：激光器在直