Co、Zr共掺杂CaCu3Ti4O12薄膜微观结构及电性能研究.docx

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2023-08-05 发布于湖北
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Co、Zr共掺杂CaCu3Ti4O12薄膜微观结构及电性能研究.docx

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Co、Zr共掺杂CaCu3Ti4O12薄膜微观结构及电性能研究摘要 CaCu3Ti4O12（CCTO）拥有良好的介电性能以及优越的压敏特性，成为广大研究者最为关注的一种电容-压敏双功能材料。CCTO作为一种高介电材料是目前很难应用到实际生活中的，其最主要的一个原因就是虽然它有着巨大的介电常数但是同时也伴随着较高的介电损耗，就目前而言这种介电损耗我们主要认为是由于漏电造成的。而这类本征泄电是没法制止的，因为CCTO具备半导态的晶粒，势必具备较大的介电消耗。因此研究人员的主要任务是减小CCTO的介电损耗，包括制备工艺的改进、掺杂改性，从而实现减小 CCTO介电消耗。目前单元素掺杂CCTO是科研人