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碳化硅纳米棒水热法制备的研究 　　摘要：介绍了碳化硅纳米棒在制备技术方面的进展，综述了碳化硅纳米棒四种生长机理（VLS、VS、SLS、 OAG），以及在以四种生长机理为基本的制备方法，即化学气相沉积、碳化硅粉末高温合成法、激光烧蚀、电弧放电、聚合物催化热解合成等，对各种方法的优缺点进行粗略叙述，着重介绍了水热合成一维碳化硅纳米棒，为科研人员进一步开拓碳化硅纳米棒提供一定参考。 关键词:碳化硅纳米棒；制备方法；生长模式；电子器件；水热法 1 引言 　　碳化硅是一种典型的、具备代表性的半导体材料，在半导体器件的应用中有着极其重要的作用[1]。当材料尺度达到纳米级别后，随之会出现一系列物理效应，如