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- 2023-08-05 发布于四川
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一种电吸收调制器。调制器包括SOI波导;活动区,所述活动区包括多量子阱(MQW)区;以及耦合器,用于将SOI波导耦合到活动区。耦合器包括:过渡波导耦合区;缓冲波导耦合区;以及锥形区;其中,过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光;并且缓冲波导耦合区经由锥形区耦合过渡波导区与活动区之间的光。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210005813 U
(45)授权公告日
2020.01.31
(21)申请号 20179
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