电气绝缘测试技术总.pptVIP

电气绝缘测试技术;绪 论;2、电气绝缘测试与一般电工测试的区别 ;第一章 绝缘电阻（率）与微电流的测量;绝缘体的绝缘电阻由两部分组成：体积电阻和表面电阻;表面电阻:;二、影响绝缘电阻因素;（3）电场强度;§ 1-2 试样与电极;二.电极系统;;;;;三.电极材料;;;§1-3 直测法测量绝缘电阻;一.欧姆表法（直流电源+流比计）;二.检流计法;三.高阻计法;三.高阻计法;;电压放大倍数：;;§1-4 比较法测量绝缘电阻;二、电流比较法;§1-5 充放电法测量绝缘电阻;;;二、自放电法;§1-6 测量误差的来源及其消除方法;一、仪器误差;二、泄漏电流的影响及保护技术;;三、寄生电动势和外电场;四、剩余电荷;第2章 电容、介电常数及损耗因数的测量;;;;二、影响介电常数与介质损耗因数测量的因素;;三、测量电极;§2-2 电桥法测量介电常数及损耗因数;;;;灵敏度的定义;解方程组得; 对电桥灵敏度进行分析可知灵敏度与电源电压幅值，频率，标准电容器电容值成正比，且随平衡指示器支路阻抗的增加而下降。;二、正接高精密西林电桥;1） C、D对地电容与桥臂CB、DB并联，影响该桥臂的相位角。 2） 试样与标准电容器的被保护极与保护极的电位不等，因此这 二电极间的电容和漏导也分别与桥臂CB、DB并联，影响该桥臂的相位角。 3） 屏蔽不够完善，只屏蔽了低压部分，没有屏蔽高压部分，这样通过试样及高压标准电容器的电流易受外电场的影响。 4） 桥臂电阻R3、R4的分布电容、对屏的电容及其残余电感、C4的零电容等都会对损耗因数的测量带来影响。;防护原则; 分布电容、电导不能完全消除，但可以使他们不在电桥回路中不影响平衡。;（2）辅助电源法;（3）双屏蔽加辅助电源;（4）自动跟踪电桥;（2）消除方法：在某些类型的电桥中，在R4的中点与屏蔽之间接入一个可变电容Ca通过“找对称”测量程序，使R3和R4的分布电容与残余电感，C4的零电容对测试的影响在一定条件下相互抵消。; 精密西林电桥内阻R3的最大允许电流为30mA，为了满足大电容试品测试的要求，可在R3并联一个电阻分流器，而实现大电容电桥。;K为电流互感器的电流比; 正接电桥用于不接地试样损耗因数的测量，当测量接地试样的电容和介质损耗因数时，须采用反接电桥。例如运行中的电缆护层接地。; 对于接地试样测量，除采用反接电桥外，还可以采用对角线接地电桥。;; 当测试对象为薄膜试样，试样本身不能承受高电压时, 采用低压工频电桥进行测试。西林电桥电阻臂阻抗在工频下远小于试样或标准电容器的阻抗，因此工频西林电桥在低压下灵敏度不高。为提高灵敏度，需要提高可调部分的阻抗。;;七、变压器电桥;1、电流比变压器电桥;高压电流比变压器电桥;2、电压比变压器电桥; 几点说明：;3、自动平衡电桥;§2-3 谐振法测量介电常数及损耗因数测量; 谐振回路的品质因数Q可用谐振时调谐电容器C两端的电压Ur与电源电压U0之比表示，Q可用Q表来测得。; 从谐振曲线可看出，谐振曲线宽度ΔC与谐振回路的损耗有一定的关系。损耗愈大，ΔC愈大。变电纳法就是利用接和不接试品两种情况下，回路谐振曲线宽度的变化来测量试品的tanδ。;推导过程;为计算方便，取q=2;测量步骤（采用替代法）;§2-5 工频与高频损耗测试技术;二、西林电桥测试时可能遇到的现象;三、测量误差及消除方法;原理：改变试验电源的相位，使Ix与Ii干扰同相位或反相， 此时干扰与tanδ测量不产生影响。; 原理：在电源电压正、反相下进行Cx和tanδx两次测量，得到两组测量结果：C1、tanδ1 ； C2 、tanδ2。;四、外来耗合阻抗;2、“T型干扰网络”; 由于三电极系统易构成“T”型干扰网络，对tanδX测试产生负误差，且误差与频率成正比。因此高频下， tanδX的测量只能用二电极系统，不用三电极系统。;五、高频损耗测试技术;2、引线电容C0;第三章 电气绝缘介电强度试验;式中：EB——击穿场强（MV/m，kV/mm） UB——在规定试验条件下，两电极间的击穿电压（ MV或kV） d——两电极间击穿部位的距离，即试样的在击穿部位的厚度 （ m，mm）若试样是等厚度的，可取平均厚度。;;耐压试验：按规定的升压方式将电压从零开始升压直到规定的电压值，并保持规定的时间，不击穿为合格，否则为不合格。;电压波形：对于施加电压波形畸变会引起介电强度的变化；;电场的均匀性及电压的极性：均匀电场下 无影响 不均匀电场下，直流和冲击电压