陈星弼《微电子器件》课件讲义(电子科技大学版).pdfVIP

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2023-08-09 发布于辽宁
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陈星弼《微电子器件》课件讲义(电子科技大学版).pdf

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微电子器件电子科技大学微电子与固体电子学院总学时：72 学时其中课堂讲授：60 学时，实验：12 学时成绩构成：期末考试：70 分、平时：20 分、实验：10 分 W HAT ? W HY ? HO ?W 电子器件发展简史 1904年：真空二极管电子管电子管 1907年：真空三极管 1947年：双极型晶体管固体器件固体器件 1960年：实用的 MOS 场效应管美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触双极晶体管 1950 年发明了结型双极型晶体管，并于 1956 年获得诺贝尔物理奖。 1956 年出现了扩散工艺，1959 年开发出了硅平面工艺，硅平面工艺为以后集成电路的大发展奠定了技术基础 1959 年美国的仙童公司（ Fairchilds ）开发出了第一块用硅平面工艺制造的集成电路，并于 2000 年获得诺贝尔物理奖第 1 章半导体器件基本方程 1.1 半导体器件基本方程的形式半导体器件内的载流子在外电场作用下的运动规律可以用一套基本方程来加以描述，这套基本方程是分析一切半导体基本方程器件的基本数学工具。半导体器件基本方程是由麦克斯韦方程组结合半导体的麦克斯韦方程组半导体的固体物理特性推导出来的。这些方程都是三维的。固体物理特性先来复习场论中的有关内容对于数量场对于矢量场分析半导体器件的基本方程包含三组方程。 1.1.1 泊松方程 1.1.1 泊松方程（1-1a）式中为静电势，它与电场强度之间有如下关系，所以泊松方程又可写成（1-1b） 1.1.2 输运方程 1.1.2 输运方程输运方程又称为电流密度方程。电子电流密度和空穴电流密度都是由漂移电流密度和扩散电流密度两部分所构成，即（1-2）（1-3） 1.1.3 连续性方程 1.1.3 连续性方程（1-4）（1-5）式中，U 和 U 分别代表电