半导体物理学(第8版)课件 第三章 半导体中载流子的统计分布.pptx

半导体物理学(第8版)课件 第三章 半导体中载流子的统计分布.pptx

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 状态密度 定义: 能带中,能量E附近单位能量间隔内的量子态数。1、公式:一、能量状态密度定义2、物理意义:量子态按能量如何分布3、注意:1)是能量的函数 2)密度不代表单位体积,针对能量 二、求解能量状态密度1.k空间量子态分布(单位体积量子态数) 二、求解能量状态密度波矢k不能取任意值,而是一些分立的值。在k空间中,允许的量子态构成一个空间点阵,每个点由一组整数(nx, ny, nz)表示。k空间中,每一个允许的量子态的k空间代表点都与一个1/L3的立方体相对应关联。即每一个1/L3的立方体中有一个允许的量子态。所以: k空间中量子态密度(单位体积)为V =L3,考虑电子自旋,则 量子态密度为2V (单位体积),k空间量子态是均匀分布 。1.k空间量子态分布(单位体积量子态数) 考虑等能面为球面的情况,且假设极值位于k=0:二、求解能量状态密度2.k空间等能面及解决问题的思路 为此需要在k空间作出等能面E和E+dE, dE对应的体积dΩ, dΩ对应的量子态数2V dΩ,dE对应的量子态数dZ= 2V dΩ。球形或椭球等能面 二、求解能量状态密度2.k空间等能面及解决问题的思路可求得:如何得到 三、能量状态密度1.导带底附近能量状态密度可求得:将k用能量E表示:1) 能带极值在k=0,等能面为球面(如GaAs) 导带底附近状态密度为: 三、能量状态密度1.导带底附近能量状态密度2)旋转椭球等能面(硅、锗)状态密度 k=k0电子状态密度有效质量 三、能量状态密度2.价带顶附近状态密度(能带极值在k=0,等能面为球面)空穴状态密度有效质量 三、能量状态密度考虑s个旋转椭球导带状态密度求解具体过程:椭球体积:体积中包含的量子态:状态密度:其中: 三、能量状态密度考虑轻、重空穴价带状态密度求解具体过程: 三、能量状态密度mtmlsmdnSi0.19m00.98m061.08m0Ge0.0819m01.64m040.56m0GaAs0.067m00.067m010.067m0导带电子的状态密度有效质量 价带空穴的状态密度有效质量(mp)l(mp)hmdpSi0.16m00.53m00.59m0Ge0.044m00.36m00.37m0GaAs0.082m00.45m00.47m0 三、能量状态密度状态密度状态密度与能量关系问题是不是完全对称的?为什么? 半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 费米能级和载流子的统计分布 电子按能量的大小有一定的统计分布规律。1.形式费米分布函数和费米能级 2.费米能级讨论费米分布函数和费米能级系统处于热平衡状态,且不对外界作功,系统增加一个电子引起的自由能的变化--系统的化学势。1)费米能级是系统的化学势2)费米能级与半导体材料的导电类型、杂质含量、温度、能量零点的选择有关,如果EF一定,则分布函数确定。3)热平衡时,系统有统一的费米能级;4)标志电子填充能级的水平。 3.费米分布函数的讨论费米分布函数和费米能级T=0K时:?T0K时:?当能量比费米能级高低 时:?高于费米能级的量子态几乎是空的,低于的,几乎是满的。 1.两种分布的异同 费米分布向玻尔兹曼分布过渡相同:都是描述微观粒子的统计分布不同:费米分布以量子理论为基础,能量量子化,不连续,同时要满足泡利不相容原理。玻尔兹曼分布以经典理论为基础,能量可以取任意值,是连续的,不需要考虑泡利不相容原理 。 2.费米分布向波玻尔兹曼分布过渡费米分布向玻尔兹曼分布过渡令:得: 量子态被空穴占据几率 f(E)表示能量为E 的量子态被电子占据的几率,所以1- f(E) 就是能量为E的量子态不被电子占据的几率,也就是被空穴占据的几率:当 ,上式分母中的1可略去。上式为空穴的玻尔兹曼分布函数,其中: 非简并半导体与简并半导体非简并系统简并系统掺杂浓度低掺杂浓度高玻尔兹曼分布费米分布不考虑泡利不相容原理考虑泡利不相容原理n型半导体E升高,电子占据几率下降很快导带中,绝大多数电子分布在导带底附近p型半导体价带中,绝大多数空穴分布在价带顶附近E升高,分布几率上升很快,空穴占据的几率增加很快。 非简并半导体与简并半导体能量状态密度导带:价带:近似近似 一般情况下,非简并半导体的费米能级EF位于禁带内,而且与导带底和价带顶的距离远大于k0T;非简并半导体的载流子统计分布1.导带电子浓度导带底电子和价带顶空穴满足玻尔兹曼分布。 已知单位能量间隔内的量子态数,即状态密度 g(E),并且已经知

文档评论(0)

xiaobao + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档