半导体物理学（第8版）课件 第四章 半导体的导电性.pptx

半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 载流子的漂移运动和迁移率 一、导体的欧姆定律ρ：电阻率 Ω·cm，σ：电导率S/cm，西门子/cm电流密度:通过垂直于电流方向的单位面积的电流,A/cm2（1）（2）（3）欧姆定律的微分形式 二、漂移速度和迁移率（导体）导体外加电压，内部电子受到电场力的作用，沿电场反方向作定向运动，形成电流。（1）漂移运动（2）漂移速度定向运动的速度，平均漂移速度用 表示。（3）电流密度和平均漂移速度的关系通过A面的电流(单位时间通过该面的电荷量)为： 二、漂移速度和迁移率（导体）电流密度单位场强下电子的平均漂移速度习惯取正值，根据欧姆定律：可以写出：SAOEIJ迁移率: 单位：cm2/V·s 二、漂移速度和迁移率（导体）载流子迁移率 外加电场载流子迁移率外加电场迁移率描述在电场作用下，载流子的移动情况（移动的难易程度） 三、半导体的电导率与迁移率实验发现，电场不是很强的时候，半导体中的载流子在电场力作用下遵守欧姆定律半导体中的情形：导带电子和价带空穴都可以参与导电。虽然在电场下的运动方向相反，但是贡献的电流方向相同。 三、半导体的电导率与迁移率电场方向电子运动方向JnJp空穴运动方向+-所以对于半导体n型半导体p型半导体本征半导体 三、半导体的电导率与迁移率漂移电流方程电 子电子漂移电流单位体积的电子数电子迁移率空 穴空穴漂移电流单位体积的空穴数空穴迁移率 三、半导体的电导率与迁移率电场下半导体能带图平衡态下(不加电场，能带是水平的)未掺杂或本征半导体ECE?EV所有能级都是平的加电场后能带发生倾斜，能带倾斜的幅度等于qV, 其中 V 就是外加电压。 三、半导体的电导率与迁移率电场下半导体能带图平衡态下(不加电场，能带是水平的)当外加电场后能级会如何变化?+-电场方向电子运动方向空穴运动方向ECEiEVEFe-空穴qVJnJp 半导体物理学 半导体物理学 BAN DAO TI WU LI XUE 载流子的散射 一、散射的概念和欧姆定律的定性解释 问题提出 ，当E一定时，则 J 恒定，而 所以 应该一定而电子受到电场力的作用匀加速运动，速度应该是一直增加，与实际情况矛盾。1.散射概念a.载流子无规则永不停息运动----热运动b.晶格原子在格点附近热振动c.电离杂质热振动（带电荷）载流子热运动与晶格原子、电离杂质发生作用－－碰撞，使载流子运动的速度的大小及方向发生变化。 一、散射的概念和欧姆定律的定性解释 用波的概念解释电子波在半导体中传播时遭到散射，由于散射使载流子的速度大小方向改变。自由载流子两次散射之间的运动，自由运动。平均自由程连续两次散射间自由运动的平均路程。平均自由时间τ：连续两次散射间自由运动的平均时间。 一、散射的概念和欧姆定律的定性解释电子无规则运动2.欧姆定律的定性解释宏观上没有沿某一方向的运动，不构成电流a.没有电场电场力作用下，载流子沿电场方向运动，由于散射，由电场力作用得到的附加速度散射到各个方向，使速度不能积累。在上述两种作用下，载流子以一定的平均速度沿力的方向运动，具有恒定的平均漂移速度，形成电流，恒定电流。b.有电场 二、半导体的主要散射机构用能量的观点解释散射晶体周期性势场发生变化，具有附加势场，使能带中电子发生不同k状态间的跃迁，速度发生变化。不同的散射机构具有不同的附加势场。散射的本质主要散射机构电离杂质散射 晶格振动散射其它散射（等能谷散射，中性杂质散射，位错散射等）散射作用的强弱用散射几率P描述；散射几率：单位时间内一个载流子受到散射的次数。平均自由时间： 二、半导体的主要散射机构1.电离杂质散射 电离施主（＋）电离受主（－）形成库仑场－－附加场，局部破坏了周期性势场。经过其附近的载流子将在库伦作用下而改变运动方向，称电离杂质对载流子的散射作用。 类似于α粒子散射，运动轨迹为：以电离杂质为焦点的双曲线。散射理论指出电离杂质的散射几率为：T 升高，载流子热运动的平均速度大，可以很快掠过杂质离子，受库仑场的影响小，偏转小，不易受到散射，散射几率减小。升高，载流子受到散射的几率增加解 释 二、半导体的主要散射机构2.晶格振动的散射 晶体振动以格波形式存在，格波又分为声学波和光学波声学波（原胞中两个原子沿同一方向振动）代表原胞质心振动，频率小；（原胞中两个原子沿同一方向振动）代表原胞质心振动，频率小；声学波（原胞中两个原子振动方向相反）代表原胞内原子间的相对振动， 质心不动，频率高；光学波晶格振动的能量是量子化的，晶格振动的能量子称