半导体物理学（第8版）课件 第五章 非平衡载流子.pptx

半导体物理学 ;;; 对半导体施加外部作用（光照、电注入等），破坏热平衡，成为非平衡态。载流子浓度比平衡时的多些，多余的那部分用Δn，Δp表示，称其为非平衡载流子或过剩载流子。用n或p表示总的载流子浓度。;二、非平衡载流子的产生与复合;二、非平衡载流子的产生与复合;二、非平衡载流子的产生与复合;二、非平衡载流子的产生与复合;非平衡态;半导体物理学 ;;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;一、非平衡载流子的寿命（撤掉注入会如何？）;半导体物理学 ;;平衡态系统具有统一的费米能级;引入准费米能级后，非平衡状态下的载流子浓度为：;引入准费米能级后，非平衡状态下的载流子浓度为：;例：p型半导体，小注入条件下;例：p型半导体，小注入条件下;电子和空穴的准费米能级;半导体物理学 ;;;导带与价带之间直接跃迁;;同一种半导体复合总是伴有产生;二、直接复合;;;二、直接复合;二、直接复合;半导体物理学 ;;;导带与价带之间直接跃迁;;同一种半导体复合总是伴有产生;二、直接复合;;;二、直接复合;二、直接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;甲-丁=丙-乙=非平衡载流子复合率;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;三、间接复合;半导体物理学 ;;;;;;;讨论;;;;半导体物理学 ;;;;;内建电场引起的漂移电流：;由于存在电场，半导体内各处电势不等，且满足： ;;;半导体物理学 ;;;一、连续性方程的建立（n型半导体为例，一维）;2. 由于漂移，x处单位时间、单位体积中积累的空穴数：;一维非平衡载流子的连续性方程----漂移与扩散同时存在时少子遵循 运动方程。;简化连续性方程;二、连续性方程应用举例;2. 一块n型均匀半导体，垂直于x方向的平面上加恒定光照，表面非平衡载流子浓度 ，求内部非平衡载流子满足方程及非平衡载流子分布规律;解：表面光照一定，体内无激发，材料均匀，电场均匀的稳态情况;;;4.均匀n型半导体，E＝0，t＝0时开始光照，均匀产生非平衡载流子，产生率为gp，求非平衡少子随时间的变化