SJ_T 2749-2016半导体激光二极管测试方法.pdf

ICS 31.080L 53SJ备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 2749—2016代替SJ/T 2749-1987半导体激光二极管测试方法Measuring methods for semiconductor laser diodes2016-06-01实施2016-01-15发布S.发布中华人民共和国工业和信息化部 SJ/T2749—2016次目III前言1范围2规范性引用文件3术语和定义4一般要求SINDUSTRYAND4.1试验条件..34.2允许偏差.4.3测量设备5详细要求5.1正向电压5.2反向电）5.3正向电5.4反向电5.5微分电5.6值电王向电池95.7输出光I105.8斜率效115.9动态消光比2125.10外微分量一135.11峰值发射流辐射带宽和光谱165.12近场图，.165.13发射源尺寸185.14半强度角195.15开通延迟时间、上升时间205.16相对强度噪声225.17截止频率235.18调制速率245.19边模抑制比，245.20射频回波损耗255.21输入1dB压缩点和动态范围275.22工作频率范围和带内平坦度285.23电压驻波比285.24噪声系数295.25输入三阶交调截止点和无杂散动态范围1 SJ/T2749—2016前言本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。本标准代替SJ/T2749—1987《半导体激光二极管测试方法》。本标准与SJ/T2749—1987相比主要变化如下：a)将辐射光谱宽度改为光谱辐射带宽（见3.1），将辐射图改为近场图（见3.2），增加了动态范围（见3.3）、输入1dB压缩点（见3.4）、工作频率范围（见3.5）、带内平坦度（见3.6）、电压驻波比（见3.7）、输入三阶交调截止点（见3.8）、调制速率（见3.9）、射频回波损耗（见3.10）、动态消光比（见3.11）、无杂散动态范围（见3.13）的术语和定义；b)增加了一般要求（见4)；将反向击穿电压改为反向电压（见5.2）c)d)增加了调制速率（见5.18）、边模抑制比（见5.19）、射频回波损耗（见5.20）、输入1dB压缩点（见5.21）、动态范围（见5.21）、工作频率范围（见5.22）、带内平坦度测试（见5.22）、电压驻波比(见5.23）、噪声系数（见5.24）、输入三阶交调截止点（见5.25）和无杂散动态范围（见5.25）常用参数的测试方法。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本标准起草单位：中国科学院半导体研究所。本标准主要起草人：王欣、谢亮、满江伟、王佳胜。本次修订为首次修订。1 SJ/T2749—2016半导体激光二极管测试方法1范围本标准规定了半导体激光二极管的光学、电学和热学参数的测试方法。本标准适用于带或不带尾纤的半导体激光二极管（以下简称“激光二极管”）。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可的，卫是理期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件1其最新版本（包括所有的修）适用于本文件。GB/T15651—19954GB/T11499—2001导体分立器件文字符号及管的测试方法CIE127发光ent of LEDs)TER3术语和定义E?114992001弄完的以及下列术请和定义适用于D995和GBGB/T156HNOLO3.1光谱辐身寸带宽spectrum width3.1.1均方根谱宽mean square spectrumidth光谱包络分布用高斯函数P（a）来近似。均方根谱宽值见公式（1）。在规定的工Prms(1)om, = f(a-0) P(a)da/ L P()da 1S式中：RD1.光源波长；^。—光源中心波长。3.1.2-3dB谱宽-3dBspectralwidth在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降3dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为-3dB谱宽，或称FWHM（thefullwidthathalfmaximum）谱宽。3.1.3-20dB谱宽-20dBspectralwidth在规定的工作条件下，主纵模峰值波长的幅度下降20dB处光谱线两点间的波长间隔，称之为-20dB谱宽。4 SJ/T2749—20163. 2近场图near field pattern表征激光二极管发射端面的光辐射强度的分布图。3.3动态范围dynamicrange激光二极管达到饱和前的最大信号输出功率与本底噪声的比值。3. 4输入1dB压缩点1dBinputcompressionpoint激光二极管在某一调制频率下，经电-光-电转换后链路增益减少1dB时对应的微波输入功率点。3.5工作频率范围workingfrequencyrange激光二