单相桥式整流电路课程设计报告.docxVIP

. . . . 电力电子课程设计报告 目录 一、 设计任务说明 4. TOC \o 1-1 \h \z \u 二、 设计方案的比较 5 三、 单元电路的设计和主要元器件说明 7 四、 主电路的原理分析 10 五、 各主要元器件的选择： 13 六、 驱动电路设计 1. 5 七、 保护电路 1. 7 八、 元器件清单 2. 2 九、 设计总结 2. 3 十、 参考文献 2. 4 一、设计任务说明 设计任务： 进行设计方案的比较，并选定设计方案； 完成单元电路的设计和主要元器件说明； 完成主电路的原理分析，各主要元件的选择； 驱动电路的设计，保护电路的设计； 利用仿真软件分析电路的工作过程； 设计要求： 1)单相桥式相控整流的设计要求为： 负载为感性负载，L=700mH，R=500Ω 2)技术要求： A.电网供电电压为单相 220V； B.电网电压波动为 5%——10%； C.输出电压为 0——100V; . 二、设计方案的比较 单相桥式整流电路有两种方式，一种是单相桥式全控整流电路，一种是单相桥式半控整流电路。主要方案有三种： 方案一： 采用单相桥式全控整流电路，电路图如下： 对于这个电路，每一个导电回路中有两个晶闸管，即用两个晶闸管同时导通以控制导电的回路，不需要续流二极管，不会出现失控现象，整流效果好，波形稳定。变压器二次绕组不含直流分量， 不会出现变压器直流磁化的问题，变压器利用率高。 方案二： 采用单相桥式半控整流电路，电路图如下： 相较于单相桥式全控整流电路，对每个导电回路进行控制，只需一个晶闸管，而另一个用二极管代替，这样使电路连接简便，且 . . dd d降低了成本，降低了损耗。但是若无续流二极管，当α突然增大到180°或触发脉冲丢失时，会发生一个晶闸管持续导通而两个二极管轮流导通的情况，这使 U 成为正弦半波，级半周期 U 为正弦波，另外半周期U 为零，其平均值保持恒定，相当于单相半波不可控整流电路时的波形，即失控现象。因此该电路在实际应用中需要加设续流二极管。 d d d 综上所述：单相桥式半控整流电路具有线路简单、调整方便的优点。但输出电压脉动冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时）， 且整流变压器二次绕组中存在直流分量 ,使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相桥式全控整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。因此选择方案一的单相桥式全控整流电路。 . . 三、单元电路的设计和主要元器件说明 单相桥式全控整流电路，如图所示： 由一台变压器、四个晶闸管经过桥接而成，负载为阻感负载。晶 1和闸管VT 1 和 VT 组成一对桥臂，VT VT 组成另一对桥臂。 2和43主要元器件——晶闸管 2 和 4 3 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN 四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极； 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工 作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点 电子开关、逆变及变频等电子电路中。 1）晶闸管的分类： 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管（SCR）、双向晶闸管（TRIAC）、逆导晶闸管（RCT）、门极关断晶闸管（GTO）、BTG 晶闸管、温控晶闸管（TT 国外， . . . . . TTS 国内）和光控晶闸管（LTT）等多种。晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和快速晶闸管，快速晶闸管包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管，可分别应用于400HZ 和10KHZ 以上的斩波或逆变电路中。 （备注：高频不能等同于快速晶闸管） 2）工作原理 晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极 G 和阴极 K 与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。 半控型晶闸管的工作条件： ① 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。 ② 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶