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- 2023-08-09 发布于四川
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本发明提供一种背照式CMOS图像传感器的制备方法，将具有所述像素阵列层及所述连接电路层的所述第一基板与具有所述TSV柱的所述第二基板分别制备，并将所述第一基板与所述第二基板进行键合，实现所述TSV柱与所述连接电路层的电连接，而后制备所述光选择层，并与所述透光基板进行键合，从而可缩短所述背照式CMOS图像传感器的制备工艺时间，提高产率，通过TSVFirst工艺可提高所述TSV柱与所述连接电路层的对准精度，提高所述背照式CMOS图像传感器的电性能，且可降低所述背照式CMOS图像传感器的损伤概率，提
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116564987 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310646312.9
(22)申请日 2023.06.01
(71)申请人 盛合晶微半导体（江阴）有限公司
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