SJT 11399-2009半导体发光二极管芯片测试方法.pdf

1CS 31. 260L45备案号：中华人民共和国电子行业标准SJ/T 11399—2009半导体发光二极管芯片测试方法Measurement methods for chips of Iight emitting diodes2010-01-01实施2009-11-17 发布中华人民共和国工业和信息化部发布 J/T:11399—2009.本标准的附录A、附录B为资料性附录本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究所归口。本标准由半导体照明技术标准工作组组织起草。本标准起草单位：中国光学光电子行业协会光电器件分会、厦门华联电子有限公司、杭州浙：仪器有限公司、深圳淼浩高新科技有限公司本标准参加单位：：见附录BPa本标准主要起草人：鲍m胡爱华:洲同升HT3EB2070 SJ/T11399---2009包括正尚电压之向电流LED芯片测试方法主要涉及LED芯片的电、辐射度和光度及色度学.波长、色纯度、光强度和光通量等，另外，LED热学参数如结温热阻和静电放电测试方品必标包括人体模式和机器模式测试等在生产实践中也常用到。为进一步推进和规范LED芯片测试和试验大工作并和国外接轨，必须制定产业界切实有效的LED芯片测试方法的标准。虽然LED芯片测试的原理与已封装器件类似,但是在测试的准确性、可重复性和可比对性方面仍然存在许多问题。因此本标准对芯片测试的关键部分作出了统一明确的规定，例如规定了探针台表面反射率探针的直径、弹性和角度等，同时标准还推荐了不同测试装置之间定标校准的方法，，使芯片的测试可以18在可靠、重复性好的情况下进行。 1SJ/T 11399--2009半导体发光三极管芯片测试方法1范围本标准规定了半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学参数以及电磁兼容性的测试方法。本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光三极管芯片以及外延片的测试可参考执行。2规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的弓用文化其随后的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否，可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。GB/T 5698-2001颜色术语:--: 半导体分立器件文字符号GB/T 11499-:-2001GB/T 15651:-19955半导体器件分立器件和集成电路：第5部分：光电子器件（IEC60747-992h.:IDT)SJ/T 11394--2009半导体发光二极管测试方法3术语、定义和符号GB/T 5698、GB/T:11499、GB/T15651确立的以及下列术语、定义和符号适用于本标准。3. 1探针台 probe station1.由测试探针、引线和台座组成，用手完成芯片电极与测量电路的电气连接的装置多A芯片点亮和测试条件、-4.1.芯片点亮条件4.1.1，探针台旅、通则芯片点亮时的结温变化对LED电参数、光参数和辐射通量、光的波长和颜色等都会有很大影响，时，芯片点亮时的探针、基底等都有不稳定的因数，因此应该对探针和探针台基底的性能和参数作出规定，保证点亮和测试芯片时可以得到稳定可靠的测试数据。4.1.1:2，探针台基底应该对放置芯片的探针台基底的大小、材质、表面反射率、表面接触性能和表面温度作出规定。测试探针：应该对测试探针的直径、：弹性、压在芯片上的角度作出规定4.1.2点亮方式芯片电气连接测试芯片时，将钨质探针压在芯片的电极上，完成与芯片的电气连接双侧电极芯片 SJ/T 11399---2009电极在双侧的芯片应该用银浆粘贴在基底上，保证芯片稳定，测试探针接触良好。功率芯片功率芯片应该安装在相同的金属基板上，测试探针压在电极板上，保证接触良好。4.1.3驱动方式驱动和测量芯片时，可用以下两种方式：，恒定电流驱动稳态测试a)用达到规定稳定度的恒流源点亮芯片，恒定电流应在规定值的土1%以内；按规定的时间预热芯片。要求芯片自身发热及周围温度变化时对测定值影响最小。:b)脉冲电流驱动瞬态测试使用脉冲电流驱动芯片，规定电流的脉冲宽度和占空比，脉冲宽度要大于芯片结温热平衡时间。在驱动脉冲持续期内快速测量芯片各项参数。输入脉冲频率和占空比的允许偏差应在土2%以内。4.2测量条件除非另有规定，芯片的光电参数测量应按本标准规定的条件进行。标准大气条件4.2.1 :标准大气条件如下！a）温度：15℃～35℃;b）‘相对湿度；45%～75%；ic）.气压： 86. kPa～106 kPa。4.2.2仲裁试验的标准大气条件仲裁试验的标准大气条件如下：：温度：25℃±1℃；a):b)相对湿度：48%～52%；:气压：86 kPa～106°kPa。c)环境条件4.2.3·测量环境应无影响