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集成电路及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-08-09 发布于四川
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集成电路及其形成方法.pdf

    本申请的实施例公开了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括第一纳米结构晶体管和第二纳米结构晶体管。第一和第二纳米结构分别包括栅电极。背侧沟槽将第一栅电极与第二栅电极分开。背侧沟槽中填充了体介电材料。栅极帽金属将第一栅电极电连接到第二栅电极。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116564891 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310241117.8 (22)申请日 2023.03.14 (30)优先权数据

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