原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请提供了一种LDMOS终端结构及LDMOS终端结构的制作方法，该LDMOS终端结构包括基底以及第一场板，其中，基底包括衬底、外延层、体区以及漂移区，外延层位于衬底的表面上，体区与漂移区均位于外延层中，体区位于漂移区的一侧；第一场板位于基底的一侧，第一场板包括沿着第一方向接触设置的第一子场板以及第二子场板，第一子场板在基底上的投影覆盖部分体区以及部分漂移区，第二子场板在基底上的投影覆盖部分体区以及部分外延层，第一子场板在第二方向上的长度大于第二子场板在第二方向上的长度。通过第一场板优化元胞区与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116565022 A
(43)申请公布日 2023.08.08
(21)申请号 202310530175.2
(22)申请日 2023.05.11
(71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司
地址
文档评论（0）