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本申请涉及一种保护栅极电荷平衡的MOSFET器件，包括衬底、用于形成多层隔离栅阱的第一外延结构、用于形成屏蔽电场的第二外延结构以及与第二外延结构共同形成空间电荷区的第三外延结构。第三外延结构内开设有若干栅极沟槽。通过第二外延结构形成屏蔽电场以保护栅极沟槽的底面电场线密度较高的位置。同时，第二外延结构与第三外延结构组合形成空间电荷区，从而将栅极沟槽底部的电场部分转移至空间电荷区中，以减小栅极沟槽底部的电场，提高MOSFET工作的可靠性，实现较低的开关损耗。最后，通过隔离栅阱减小MOSFET内的JF
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115966594 A
(43)申请公布日 2023.04.14
(21)申请号 202211731658.0
(22)申请日 2022.12.30
(71)申请人 深圳真茂佳半导体有
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