一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统.pdfVIP

下载本文档

4
0
约2.48万字
约 23页
2023-08-09 发布于四川
举报
版权申诉

一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种量子反常霍尔效应阵列器件的制备方法及系统，包括：步骤1:基于刻蚀掩模板，对量子反常霍尔薄膜进行刻蚀，以在所述量子反常霍尔薄膜上刻蚀出多个阵列图案，所述多个阵列图案用于在对应区域沉积所述量子反常霍尔薄膜的电极；步骤2：基于至少两个电极掩模板，对准所述步骤1得到的量子反常霍尔薄膜进行镀膜，以在所述多个阵列图案上沉积电极膜，得到所述量子反常霍尔效应阵列器件；其中，不同的所述电极掩模板对应所述多个阵列图案的不同区域。旨在提供一种简单易实现的、能够提升器件性能的量子反常霍尔效应阵列器件制备方

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116568122 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310518149.8 H10N 52/00 (2023.01)