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提供了一种绝缘栅结构，其包括：宽带隙材料层(50)，包括第一导电类型的沟道区(53)；栅极绝缘层(100a)，直接布置在沟道区(53)上，该栅极绝缘层(100a)包括直接布置在沟道区(53)上的第一氮化物层；以及导电栅电极层(200)，在栅极绝缘层(100a)上，使得栅电极层(100a)通过栅极绝缘层(100a)与宽带隙材料层(50)间隔开。在与碳化硅层(50)和第一氮化物层之间的界面(151)距离3nm的距离处，栅极绝缘层(100a)中的碳原子浓度小于1018个原子/cm‑3。第一氮化物层(1
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115244651 A
(43)申请公布日 2022.10.25
(21)申请号 202180019925.9 (74)专利代理机构 北京市汉坤律师事务所
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