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- 2023-08-10 发布于四川
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本申请提出了一种芯片结构，涉及半导体领域。该芯片结构包括发光层，其中，发光层的一侧设置有P电极层与N电极层，以及位于发光层一侧的封装层，其中，封装层设置有多个通孔，每个通孔连通至P电极层或N电极层，且每个通孔内均填充有散热导电介质，散热导电介质与P电极层或N电极层连接。本申请提供的芯片结构具有散热能力更好，热阻更低的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210052756 U
(45)授权公告日
2020.02.11
(21)申请号 20192
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