多晶硅的生产工艺图及车间工艺培训.docVIP

还原氢化工序工艺讲义 第一节 工序划分及主要设备 一、三氯氢硅还原的工序划分 单元号 工序名称 T1100/T1101 三氯氢硅(TCS)蒸发 T1200/T1201 四氯化硅(STC)蒸发 T100/T101 还原 T200/T201 氢化 T300 硅芯拉制 T400 硅芯腐蚀 T500 破碎、分级 T600 超纯水制取 T700 实验室(分析检测中心) T800/801 钟罩清洗 T900 冷却水循环系统 T1000 HF洗涤 二、主要原辅材料及质量要求 物质 纯度 原料 三氯氢硅 TCS≥99%（B≤0.1ppb;P≤0.1ppb） 四氯化硅 STC≥98% 氢气 H2≥99.999% 硅芯 Si≥99.999%；电阻率≥50Ω·cm(暂定)；Φ5mm ；长2m 石墨电极 高纯 辅料 硝酸 分析纯 氢氟酸 优纯级或分析纯 洗涤剂 氢氧化钠 分析纯或化学纯 酸洗剂 氨基磺酸 化学纯 超纯水 电阻率＞18M·Ω 三、主要设备 设备 个数 位号 三氯氢硅(TCS)蒸发器 4 T1100AB001/002 T1201AB001/002 四氯化硅(STC)蒸发器 4 T1200AB001/002 T1201AB001/002 还原炉及氢化炉的静态混合器 2 AM100 还原炉 18 T100/T101AC001-009 氢化炉 9 T200AC001-005 T201AC001-004 硅芯拉制炉 6 T300AC001-006 区熔炉 1 T700AC001 冷却水及冷却去离子水缓冲罐 4 T900/T901AB001-002 全自动硅块腐蚀清洗机 1 T400 HF洗涤塔 1 T1000AK001A/B T1000AK002A/B 第二节 三氯氢硅氢还原工艺 一、还原工艺描述 图1 三氯氢硅氢还原工艺流程简图 经提纯的三氯氢硅原料，按还原工艺条件的要求，经管道连续加入蒸发器中。向蒸发器夹套通入蒸汽使三氯氢硅鼓泡蒸发并达到10bar，三氯氢硅的汽体和一路一定压力的高纯氢气（包括干法分离工序返回的循环氢气）在混合器AM100中以1：3的比例混合，经三层套管换热器加热后经进气管喷头喷入还原炉内。另一路（侧路氢）用于还原炉视镜冷却。 在1080℃~1100℃的反应温度下，在还原炉内通电的炽热硅芯硅棒的表面，三氯氢硅发生氢还原反应，生成硅沉积下来，使硅芯硅棒的直径逐渐变大。经过约150小时反应沉积过程，制得直径为120～150mm，长2000mm的多晶硅棒，即为高纯多晶硅产品。 还原炉炉筒夹套通入热水，以移除炉内炽热硅芯向炉筒内壁辐射的热量，维持炉筒内壁的温度。还原炉内的石墨电极用去离子冷却水冷却，进水口取样测量去离子水的电导率及纯度，以防对还原炉电极造成损害。 炉内的反应压力为6bar，化学反应方程式为： （主反应） 转化率仅为10%~15% 同时还发生一系列副反应，例如SiHCl3和HCl反应产四氯化硅和氢气： （副反应） 转化率为30%~35% 和SiCl4的还原反应 （副反应） 以及杂质的还原反应： 及 氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气，与未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原炉，出口设置取样点检测尾气各成分含量，了解还原炉的工作是否正常，尾气经循环冷却水冷却后，直接送往还原尾气干法分离工序。 二、还原炉尾气组成 还原炉尾气温度200℃，压力为6bar，各物质成分如下： 还原炉尾气成分 含量 TCS ≈50% STC ≈40% H2 5~7% DCS 2~3% HCl 0~1% 第三节 三氯氢硅氢还原的影响因素 一、氢还原反应及沉积温度 三氯氢硅氢还原反应都是吸热反应，因此升高温度使平衡向吸热一方移动，有利于硅的沉积，也会使硅的结晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金属光泽。但实际上反应温度不能太高，因为： （一）硅和其它半导体材料一样，自气相往固态载体上沉积时，都有一个最高温度，当反应超过这个温度，随着温度的升高，沉积速度反而下降。 （二）温度太高，沉积的硅化学活性增强，受到设备材质沾污的可能性增强。 （三）对硅极为有害的杂质B、P化合物，随着温度增高，其还原量也加大，这将使硅的沾污增加。 （四）过高的温度，会发生硅的逆腐蚀反应。 因此，在生产中采用1080℃~1100℃左右进行三氯氢硅氢还原反应。 二、反应混合气配比 所谓反应混合气配比是指还原剂氢气和原料三氯氢硅的摩尔比。 在三氯氢硅氢还原过程中，用化学当量计算的配比的氢气进行还原时，产品呈非晶体型褐色粉末状析出，而且实收率很低。这是由于氢气不足，发生其它副反应的结果。因此，氢气必须比化学当量值过量，有利于提高实收率，而且产品结晶质量也较好。 但是， H2和SiHCl3的摩尔配比也不能太大，因为： （一）配比太大，H2得不到