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技术GaN货丨基于模型的GaN PA设计基础知识：内部I-V波形的定义及其必要性 对于氮化镓(GaN) 功率放大器，设计师需要考虑非线性操作，包括RF 电流-电压(IV) 波形会发生的状况。优化非线性行为设计的一种方法就是仿真内部I-V 波形。本文将为您介绍： · I-V 波形的定义· 功率放大器工作类型· 内部和外部IV 波形· 功率放大器设计的“波形工程”方法 I-V 曲线与I-V 波形：有何不同？ 在典型GaN HEMT 放大器应用中，源是接地的，RF 输入信号应用于整个栅极-源极终端。漏极与 负载连接，负载阻抗决定了当RF-AC 输入信号在最小和最大峰值之间来回摆动时，负载线路来回移动的轨迹。 在之前的介绍中，我们了解了关于IV 曲线和负载线路的基础知识，但还有另一种分析设备的非线性行为的方法，即查看设备的I-V 波形--也就是电流和电压与时间的关系图，如下面的2 Ghz 输入RF 信号图所示。 IV 波形和IV 曲线显示不同的信息。为了展示这种不同，我们利用Keysight ADS 和Modelithics Qorvo GaN 库 模型（适用于90 W、48 V 的Qorvo GaN 晶体管QPD0060）创建了以下示例。 左图显示IV 电流和电压波形与时间的关系，其中AB 类偏置Vds = 48 V，Vgs = 2.5 V（对应右图中的