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氮化镓异质结电子辐照行为的研究 摘要：本文研究了氮化镓（GaN）异质结的电子辐照行为。通过分析GaN异质结的能带结构，以及在不同辐照剂量下的晶体缺陷分析，揭示了电子辐照对GaN异质结电子结构和光学性质的影响。研究结果表明，电子辐照会引起GaN异质结局部晶格畸变和晶体缺陷产生，给电子传输和光学性质带来不可逆的影响。本文的研究结果对于GaN异质结在辐射环境下的应用具有一定的参考价值。关键词：氮化镓；异质结；电子辐照；能带结构；晶体缺陷1. 前言氮化镓在光电子器件领域有着广泛的应用，例如光电探测器、高功率LED和激光器等。在实际应用过程中，氮化镓异质结在辐射环境下的稳定性是一个重要的问题。