O2流量及低频功率对SiCOH低k薄膜刻蚀性能的影响的开题报告.docxVIP

O2流量及低频功率对SiCOH低k薄膜刻蚀性能的影响的开题报告 题目： O2流量及低频功率对SiCOH低k薄膜刻蚀性能的影响 摘要： 随着集成电路尺寸的不断缩小和频率的不断提高，SiCOH低k薄膜已经成为高速、低功耗集成电路中最常用的介质材料之一。而在集成电路生产过程中，由于需要进行多次刻蚀工艺来制作出各种不同的结构，因此对SiCOH低k薄膜的刻蚀性能要求越来越高。因此，本研究旨在探究O2流量和低频功率对SiCOH低k薄膜刻蚀性能的影响。 主要内容： 本研究将利用高频功率反应离子束刻蚀技术来对SiCOH低k薄膜进行刻蚀，并探究O2流量和低频功率对其刻蚀性能的影响。实验将分为不同O2流量和低频功率的组，通过对刻蚀的深度、平整度等参数的测量和分析，来评估SiCOH低k薄膜的刻蚀性能。 预期结果： 通过本研究，可以得到不同O2流量和低频功率下的SiCOH低k薄膜的刻蚀深度、平整度等参数，并分析其刻蚀性能的优化方向。结果可为SiCOH低k薄膜在集成电路生产中的应用提供一定的理论依据与技术指导。