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顺着毫米波，带你走进神奇的氮化镓（GaN）世界 氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。 『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，带你走进神奇的氮化镓！！~~ 众联空间『三点半说』专为您提供热门行业话题、技术资讯、独家行业解读。三代半话题三点半说，安排！！~ 半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨的，好不风光。不过随着半导体工艺的特征尺寸日益逼近理论极限，摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓。 未来半导体技术的提升，除了进一步榨取摩尔定律在制造工艺上最后一点“剩余价值”外，寻找硅（Si）以外新一代的半导体材料，也就成了一个重要方向。在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。 · 1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓；· 2014年3月，美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破，首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证；· 2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件；2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议；同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡；· 2016年2月，美国否决中资收购飞利浦，有无数人猜测是美帝在阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术；· 2016年3月，科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN 大功率放大器模块。 GaN和SiC同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。 因此，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件，这与半导体行业一贯的“调性”是吻合的。 与GaN相比，实际上同为第三代半导体材料的SiC的应用研究起步更早，而之所以GaN近年来更为抢眼，主要的原因有两点。 首先，GaN在降低成本方面显示出了更强的潜力。目前主流的GaN技术厂商都在研发以Si为衬底的GaN的器件，以替代昂贵的SiC衬底。有分析预测到2019年GaN MOSFET的成本将与传统的Si器件相当，届时很可能出现一个市场拐点。并且该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。 让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）衬底或者金刚石衬底。 硅基氮化嫁：这种方法比另外两种良率都低，不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。 碳化硅衬底氮化镓：这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品，可提供其他出色特性，可确保其在最苛刻的环境下使用。 金刚石衬底氮化镓：将这两种东西结合在一起是很难的，但是好处也是巨大的：在世界上所有材料中工业金刚石的热导率最高（因此最好能够用来散热）。使用金刚石代替硅、碳化硅、或者其他基底材料可以把金刚石高导热率优势发挥出来，可以实现非常接近芯片的有效导热面。 其次，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。比如有厂商已经实现了驱动IC和GaN开关管的集成，进一步降低用户的使用门槛。 正是基于GaN的上述特性，越来越多的人看好其发展的后势。特别是在几个关键市场中，GaN都表现出了相当的渗透力。 射频（RF）领域将是GaN的主战场。氮化镓(GaN)功率半导体技术和模块式设计的进步，使得微波频率的高功率连续波(CW)和脉冲放大器成为可能。 2014年，美国雷神公司宣布其公司在下一代氮化镓射频半导体技术领域又取得一重大里程碑，研制出金刚石基GaN器件。金刚石做衬底材料，可将器件的热传导能力提升3～5倍，从而显著减少雷达、电子战装置等国防系统的成本、尺寸、重量和功耗。金刚石基GaN器件可使晶体管功率密度比传统SiC基GaN器件增加3倍，克服了阻碍氮化镓器件发挥潜力的主要障碍。该数据由10×125微米金刚石基GaN高电子迁移率晶体管测得，HEMT是组成单片微波集成电路功率放大器的基本单元，是固态射频发射器和有源电子扫描阵