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- 2023-08-12 发布于四川
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本实用新型公开一种半导体功率MOS器件，包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：硅基片、分别位于硅基片上部、中部和下部的P型阱层、N型外延层和N型漏极层，一盲孔的下部位于P型阱层、N型源极区之间且其下部延伸至P型阱层内，所述P型阱层靠近盲孔下部且在N型源极区下方的区域具有一重掺杂P型层；位于相邻MOS器件单胞之间的P型阱层内具有一N掺杂深延部，此N掺杂深延部的下端面在竖直方向上低于重掺杂P型层的底部，N掺杂深延部的上端面与P型阱层的上端面齐平。本实用新型半导体功率MOS器件在有
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219513111 U
(45)授权公告日 2023.08.11
(21)申请号 202320440319.0
(22)申请日 2023.03.10
(73)专利权人 苏州达晶半导体有限公司
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